| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях) Лазеры Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель П. Г. Елисеевa, Х. Лиb, Г. Т. Лиуb, А. Штинцb, Т. С. Ньювелb, Л. Ф. Лестерb, К. Д. Меллойb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва b Centre for High Technology Materials, University of New Mexico, USA
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n08ABEH001787 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: П. Г. Елисеев, Х. Ли, Г. Т. Лиу, А. Штинц, Т. С. Ньювел, Л. Ф. Лестер, К. Д. Меллой, “Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель”, Квантовая электроника, 30:8 (2000), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|