|
Квантовая электроника, 1973, номер 5(17), страницы 116–117
(Mi qe5541)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом
П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, Е. П. Никитин
Аннотация:
Экспериментально исследована внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом AlxGa1–x–GaAs. Исследована динамика спектра излучения при переходе лазерного диода из режима спонтанного излучения в режим модуляции добротности, при котором диод излучает одиночный световой импульс длительностью ~ 120 псек, совпадающий во времени со спадом импульса тока накачки.
Поступила в редакцию: 05.09.1972
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, Е. П. Никитин, “Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом”, Квантовая электроника, 5 (1973), 116–117 [Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 433–434]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5541 https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i5/p116
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 110 | PDF полного текста: | 49 |
|