О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации

Рассмотрен механизм безызлучательного резонансного захвата электрона с передачей энергии атому в решетке, который может быть ответственным за движение и образование дефектов в полупроводниках при инжекции избыточных носителей тока. В качестве прототипа дефектообразующего захвата принят процесс диссоциативного прилипания электрона к молекуле. Получено приближенное выражение для вероятности смещения атомов в лазерных кристаллах типа арсенида галлия.