Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур

Экспериментально изучены спектры спонтанного излучения лазерных структур на основе напряженных квантовых ям из InGaAs при плотности тока накачки до ~9.2 кА/см² в диапазоне температур 4.2 — 286 К и энергии квантов 1.2 — 1.5 эВ. В спектре доминирует переход 1e — 1hh, положение пика которого практически не зависит от тока. Не обнаружено признаков «красного» смещения, которое предсказывает многочастичная теория при высокой концентрации носителей. Идентифицированы слабые запрещенные переходы (1e — 2hh и др.). Длинноволновый край полосы изменяется по экспоненте аналогично известному правилу Урбаха для края поглощения.