Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров

Для описания комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ в плоскости активного слоя трехмерной волноводной структуры планарного полоскового лазера привлечена модель диэлектрического слоя Эпштейна с плавным профилем. По нормали к плоскости активного слоя используется трехслойная модель, обычно пригодная для двусторонней гетероструктуры. Рассмотрены вопросы, связанные с описанием свойств гибридных мод, и получены решения для негауссовой формы диаграммы направленности, обусловленной искривлением волнового фронта под влиянием профиля $Im\varepsilon$ (в волноводной или “антиволноводной” структуре). Проведено сопоставление профиля интенсивности спонтанного излучения в планарных полосковых гетеролазерах различных типов с характерным профилем $Im\varepsilon$ в принятой модели Эпштейна. Показано, что теоретиче­ская модель применима к расчетам профиля мод в гетеролазерах с шириной полоскового контакта около 15 мкм.