А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397]

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2119–2120 (Mi qe7580)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)

А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

PDF полного текста (456 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Созданы лазерные гетероструктуры на основе четверных твердых растворов InGaSbAs (активный слой) и GaAlSbAs (эмиттерные слои). Получена генерация на длине волны 2,4 мкм (пороговая плотность тока 7,6 кА/см² в четырехстороннем сколотом резонаторе при комнатной температуре). Достигнут непрерывный режим генерации на длине волны 2,1 мкм при охлаждении жидким азотом.

Поступила в редакцию: 12.05.1986

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 10, Pages 1397
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n10ABEH007580

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Pk, 42.70.Hj, 42.70.Nq

Образец цитирования: А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe7580

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i10/p2119

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы