Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1603–1609 (Mi qe7236)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика

П. Г. Елисеевab, Б. Н. Свердловab, И. Исмаиловab, Н. Шохуджаевab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация: Изучена взаимосвязь излучательных характеристик лазеров на GalnAsP/InP (λ ~1,08–1,61 мкм, 300 K) с анизотропной деформацией активного слоя, которая возникает вследствие либо внешнего сжатия, либо рассогласования периодов решетки в гетеропереходах. Деформацию можно оценить с погрешностью ±10 % из анализа спектров степени линейной поляризации спонтанного излучения. При полном согласовании периодов решеток температурный параметр T0 и дифференциальная эффективность проходят через минимум, пороговая плотность тока – через максимум и, следовательно, оптимизацией напряженного состояния активного слоя можно улучшить излучательные характеристики лазерных диодов. Отклонения относительного несоответствия решеток в лазерных гетероструктурах приводят к разбросу излучательных характеристик в силу их чувствительности к уровню внутренних остаточных напряжений.
Поступила в редакцию: 18.06.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 8, Pages 1046–1050
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n08ABEH007236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 68.60.Bs, 72.40.+w


Образец цитирования: П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7236
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i8/p1603
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:141
    PDF полного текста:84
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024