|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1603–1609
(Mi qe7236)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика
П. Г. Елисеевab, Б. Н. Свердловab, И. Исмаиловab, Н. Шохуджаевab a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация:
Изучена взаимосвязь излучательных характеристик лазеров на GalnAsP/InP (λ ~1,08–1,61 мкм, 300 K) с анизотропной деформацией активного слоя, которая возникает вследствие либо внешнего сжатия, либо рассогласования периодов решетки в гетеропереходах. Деформацию можно оценить с погрешностью ±10 % из анализа спектров степени линейной поляризации спонтанного излучения. При полном согласовании периодов решеток температурный параметр T0 и дифференциальная эффективность проходят через минимум, пороговая плотность тока – через максимум и, следовательно, оптимизацией напряженного состояния активного слоя можно улучшить излучательные характеристики лазерных диодов. Отклонения относительного несоответствия решеток в лазерных гетероструктурах приводят к разбросу излучательных характеристик в силу их чувствительности к уровню внутренних остаточных напряжений.
Поступила в редакцию: 18.06.1985
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7236 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i8/p1603
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 140 | PDF полного текста: | 83 | Первая страница: | 1 |
|