|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 7, страницы 1381–1393
(Mi qe11645)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)
Л. М. Долгиновab, П. Г. Елисеевab, М. Г. Мильвидскийab a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
Аннотация:
Полупроводниковые твердые растворы широко используются в лазерах благодаря возможности путем изменения их химического состава непрерывно перекрывать спектральный диапазон 0,32–32 мкм. В последнее время в числе лазерных материалов появились четырехкомпонентные составы, такие как AlGaPAs, GalnPAs, GaAlAsSb и др. Интерес к ним обусловлен необходимостью подбора пар полупроводниковых материалов с заданной различной
зонной структурой при совпадении периодов решетки («изопериодических» пар) для гетероструктур. Предварительный расчет некоторых важных параметров многокомпонентных составов может быть сделан на основе интерполяционных формул. Применение в гетеролазерах многокомпонентных твердых растворов позволило улучшить пороговые характеристики инжекционных лазеров, например, получить генерацию при комнатной температуре на длинах волн 1,06 и 1,78 мкм.
Поступила в редакцию: 08.12.1975
Образец цитирования:
Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, “Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1381–1393 [Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11645 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i7/p1381
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 450 | PDF полного текста: | 558 |
|