|
Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 3, страницы 703–704
(Mi qe10046)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)
Краткие сообщения
Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb
Л. М. Долгиновab, Л. В. Дружининаab, П. Г. Елисеевab, А. Н. Лапшинab, М. Г. Мильвидскийab, Б. Н. Свердловab a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
Аннотация:
Получена генерация на длине волны около 1,9 мкм в гетероструктуре CaSb/InGaAsSb/GaSb при токе инжекции плотностью 900 А/см2 при 90 K.
Поступила в редакцию: 01.12.1977
Образец цитирования:
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10046 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i3/p703
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 159 | PDF полного текста: | 78 |
|