|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 108–110
(Mi qe297)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Лазеры
Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs
П. Г. Елисеевa, Ю. Мегеb, Г. Эрбертb, Г. Байстерb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Ferdinand-Braun Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany
Аннотация:
Изучены дифференциальные вольт-амперные характеристики низкопороговых лазеров на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем, а также нелазерных диодов на основе идентичных гетероструктур. В согласии с простой моделью контактного эффекта порог генерации сопровождается отрицательным перепадом дифференциального сопротивления диода (на несколько ом). Показано также, что срыв генерации ведет к скачкообразному приросту падения напряжения на диоде (на десятки милливольт). Эти перепады коррелируют со скачком выходной мощности.
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Ю. Меге, Г. Эрберт, Г. Байстер, “Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 108–110 [Quantum Electron., 25:2 (1995), 99–101]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe297 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i2/p108
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 124 | PDF полного текста: | 72 |
|