Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки

Изучены спектры электролюминесценции структуры с квантовой ямой In_xGa_1–xN (толщина 3 нм) при импульсном токе накачки до 4 кА/см², T = 77 и 300 К. Установлено наличие значительного спектрального уширения нетепловой природы ΔE = 150 — 200 мэВ). Даны предварительные результаты по стабильности излучающей структуры в режиме больших импульсов тока накачки.