Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией

Рассмотрены некоторые излучательные и электрические свойства гетероструктур на основе полупроводниковых нитридов (видимого и УФ диапазонов). На примере УФ излучающих структур исследованы следующие аномальные свойства гетероструктур: гашение излучения при низкой температуре, сильная неидеальность вольт-амперных характеристик, возрастание параметра наклона этих характеристик при охлаждении. Аномальное гашение особенно характерно для структур с единственной квантовой ямой (толщина ~3 нм), но отсутствует в двойной гетероструктуре (толщина активного слоя 50 нм). Это различие вызвано, по-видимому, тем, что при охлаждении замедляется захват носителей на уровни в квантовых ямах и происходит ''сквозная'' инжекция в противоположный эмиттерный слой. Кроме того, электроны, инжектированные в p-область, понижают ее сопротивление. Учет проводимости, наведенной инжекцией в пассивном слое, позволяет удовлетворительно объяснить электрические аномалии.