Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором

Сравниваются излучательные характеристики инжекционных лазеров на основе односторонней гетероструктуры в системе GaAs–Ga_xA_1–xAs, работающих по схеме с внешним селективным и населективным резонаторами. Показано, что спектральная селекция может быть осуществлена без потерь мощности накачки при увеличении спектральной плотности излучения в 20–50 раз; ширина спектра излучения в схеме с неселективным внешним резонатором в широком интервале уровня накачки остается постоянной.