Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 8, страницы 1670–1676 (Mi qe10514)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Свойства планарных полосковых гетеролазеров.  II. Анализ электрических характеристик

П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Исследованы дифференциальные вольт-амперные характеристики планарных по­лосковых гетеролазеров непрерывного действия при комнатной температуре. В таких лазерах ватт-амперные характеристики нередко имеют аномалии в форме нелинейностей, немонотонностей, разрывов и петель гистерезиса мощности. Показано, что эти особенности сопровождаются определенными признаками на электрических ха­рактеристиках, например, на функции $IdU/dI$, где $U$ - напряжение на диоде, $I$ - ток накачки. Таким образом, наблюдение вольт-амперных характеристик позволяет выявить аномалии лазерного режима без оптических измерений. В случае, если фотоэффект в толще диода не маскирует фундаментальную связь между оптическими и электрическими характеристиками, наблюдается антикорреляция дифференциаль­ного сопротивления и дифференциальной эффективности лазера. Рассмотрена идеали­зированная модель вольт-амперной характеристики инжекционного лазера и ее моди­фикация, позволяющая интерпретировать (по крайней мере качественно) наблюдае­мую взаимосвязь вольт-амперных и ватт-амперных характеристик.
Поступила в редакцию: 21.11.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 8, Pages 966–969
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n08ABEH010514
Реферативные базы данных:
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Свойства планарных полосковых гетеролазеров.  II. Анализ электрических характеристик”, Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1670–1676 [Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 966–969]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EliOkhPak80}
\by П.~Г.~Елисеев, О.~Г.~Охотников, Г.~Т.~Пак
\paper Свойства планарных полосковых гетеролазеров.~~II. Анализ электрических характеристик
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 8
\pages 1670--1676
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10514}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 8
\pages 966--969
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n08ABEH010514}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KJ31100005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10514
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i8/p1670
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:245
    PDF полного текста:324
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024