Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах (обзор)

Обсуждены различные факторы, влияющие на надежность полупроводниковых лазеров, и дан обзор результатов по их долговечности, полученных в лабораторных ресурсных испытаниях. Технический ресурс инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs превосходит 5·10⁴ ч и по экстраполяции высокотемпературных испытаний может составлять более 10⁶ ч. Лазеры на основе InGaAsP/IпР характеризуются не меньшей долговечностью, и экстраполированное значение ресурса непрерывной работы достигает, по литературным данным, более 10¹⁰ ч (при 10°C). Обсуждаются форма и параметры распределений отказов и способы прогнозирования ресурса.