Полупроводниковые лазеры

Дан обзор путей развития инжекционных гетеролазеров — использование квантовых ям различной пространственной размерности, освоение коротковолнового диапазона, использование соединений групп II – VI и нитридов группы III. Рассмотрены проблемы оптической прочности и надежности, нелинейные искажения мод в мощных инжекционных лазерах, a также полупроводниковые лазеры, возбуждаемые сканирующим электронным пучком. Основное внимание уделено возможности эффективной работы таких лазеров без глубокого охлаждения (при комнатных температурах). Подчеркнута роль отечественных работ в создании и развитии полупроводниковых лазеров.