Аннотация:
Дан обзор путей развития инжекционных гетеролазеров — использование квантовых ям различной пространственной размерности, освоение коротковолнового диапазона, использование соединений групп II – VI и нитридов группы III. Рассмотрены проблемы оптической прочности и надежности, нелинейные искажения мод в мощных инжекционных лазерах, a также полупроводниковые лазеры, возбуждаемые сканирующим электронным пучком. Основное внимание уделено возможности эффективной работы таких лазеров без глубокого охлаждения (при комнатных температурах). Подчеркнута роль отечественных работ в создании и развитии полупроводниковых лазеров.
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, “Полупроводниковые лазеры”, Квантовая электроника, 24:12 (1997), 1067–1079 [Quantum Electron., 27:12 (1997), 1035–1047]