Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 11, страницы 2493–2495 (Mi qe11338)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: В непрерывных полосковых планарных гетеролазерах с шириной контакта 10 мкм в определенном интервале температур наряду с гладкой нелинейностью ватт-амперной характеристики наблюдается гистерезис выходной мощности. Петлю гистерезиса образовывают скачкообразные изменения мощности на концах интервала тока и плавные изменения мощности внутри этого интервала, составляющего в некоторых случаях 50–80 мА. Размеры петли и значение мощности Pкр, при которой происходит ее скачкообразное изменение, зависят от температуры: с ростом температуры петля сжимается и превращается в обычный гладкий перегиб ватт-амперной характеристики. Величина Pкр, оценена теоретически на основе модели самофокусировочной неустойчивости и в удовлетворительном согласии с опытом найдена равной примерно 10 мВт при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 14.03.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 11, Pages 1408–1409
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n11ABEH011338
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.35
PACS: 42.55.Px


Образец цитирования: А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2493–2495 [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1408–1409]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11338
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i11/p2493
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:169
    PDF полного текста:70
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024