| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях) Краткие сообщения О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин Физический институт им. П. Н. Лебедева, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 7, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n07ABEH011721 
Образец цитирования: А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин, “О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|