|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 7, страницы 1609–1611
(Mi qe11721)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин Физический институт им. П. Н. Лебедева, Москва
Поступила в редакцию: 26.01.1976
Образец цитирования:
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин, “О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1609–1611 [Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 873–874]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11721 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i7/p1609
|
|