Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм

Представлены характеристики гетероструктур и основные излучательные свойства гетеролазеров ИК диапазона (1,4—1,8 мкм) на основе четверных твердых растворов AlGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках GaSb. В инжекционных гетеролазерах при 300 K получена пороговая плотность тока 2—4 кА/см${}^2$ и проведена оценка волноводного эффекта и оптимальной толщины активного слоя. Показано, что относительный скачок показателя преломления на границах активного слоя приближается к 5% при перепаде содержания Al от широкозонных к узкозонному слою гетероструктуры на 25%. Непрерывная генерация при 77 K получена в диапазоне длин волн 1,40—1,57 мкм.