Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN

Изучены свойства светодиодов видимого диапазона на основе гетероструктур в системе InGaN/GaN/AlGaN при повышенных температурах (до 450 К). Снижение оптической мощности при температурах выше комнатной происходит сравнительно медленно, с характерной температурной константой Т* = 400 — 800 К. Оже-рекомбинация не выявлена. Положение спектрального пика в светодиоде с примесью Zn практически не зависит от температуры; в квантоворазмерных светодиодах наблюдается «красный» сдвиг линии излучения с ростом температуры, что соответствует уменьшению ширины запрещенной зоны с поправкой на влияние «хвостов» плотности состояний.