| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях) Письма в редакцию Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 11, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n11ABEH012597 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|