Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 9, страницы 1765–1769 (Mi qe8803)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Для анализа поперечной структуры поля инжекционного лазера предложена и осуществлена методика спектральной селекции поперечных мод с помощью внешнего дисперсионного резонатора. Показано, что спектральная перестройка позволяет получить последовательное возбуждение нескольких поперечных мод. Эффективность и порог генерации возрастают при увеличении индекса возбужденной поперечной моды. При плотности выходного потока на зеркале диода, меньшем 0,6 мВт/мкм, свободная генерация характеризуется суперпозицией этих мод. Дальнейшее увеличение мощности приводит к деформации профиля каждой из мод, а структура поля в режиме свободной генерации формируется за счет оптической нелинейности.
Поступила в редакцию: 31.01.1989
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 9, Pages 1135–1137
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n09ABEH008803
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.65.-k


Образец цитирования: А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров, “Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 16:9 (1989), 1765–1769 [Sov J Quantum Electron, 19:9 (1989), 1135–1137]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8803
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i9/p1765
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024