Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект

Представлены дифференциальные вольт-амперные характеристики лазеров на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs в квантовой яме и без них. В обоих случаях на пороге генерации наблюдается спад дифференциального сопротивления, однако в лазере с квантовыми точками этот спад неполный, т.е. не происходит насыщения напряжения, приложенного к электрически нелинейной части диода. Рассмотрена модель последовательных барьеров, позволяющая качественно объяснить поведение вольт-амперных характеристик.