Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре

Теоретически исследуются оптические свойства туннельных квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур. Показано, что резонансное туннелирование с поглощением и излучением квантов электромагнитного излучения может приводить, в частности, к возможности получения усиления света такими структурами, причем линия усиления может перестраиваться приложенным напряжением.