Аннотация:
Теоретически исследуются оптические свойства туннельных квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур. Показано, что резонансное туннелирование с поглощением и излучением квантов электромагнитного излучения может приводить, в частности, к возможности получения усиления света такими структурами, причем линия усиления может перестраиваться приложенным напряжением.
Образец цитирования:
Э. М. Беленов, П. Г. Елисеев, А. Н. Ораевский, В. И. Романенко, А. Г. Соболев, А. В. Усков, “Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1595–1601 [Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 995–999]