Полупроводниковые лазеры – от гомопереходов до квантовых точек

Дан краткий обзор развития физики и технологических достижений в области полупроводниковых лазеров, начиная с теоретических предложений, сделанных в конце 50-х годов XX века, и до настоящего времени. Так, например, пороговая плотность тока при комнатной температуре, составлявшая в 1963 г. 10⁵–10⁶ A/см², снижена к настоящему времени до ~10 A/см². Рассмотрены основные факторы, благодаря которым стал возможен этот прогресс. Подробно обсуждены механизмы преобразования энергии, определяющие высокий КПД полупроводниковых лазеров.