Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP

Проведены ресурсные испытания гетероструктур GalnPAs/InP, предназначенных для инжекционных лазеров и светодиодов в диапазоне 1,2–1,3 мкм. В режиме некогерентного излучения полосковые диоды исследовались при температурах 25–80°C методом ступенчатых испытаний. При температуре окружающей среды 80°C фактическая наработка при токе плотностью 3–5 кА/см² превысила 2000 ч. Энергия активации, характеризующая температурное ускорение деградационного процесса, оценена величиной ~0,6 эВ. Непрерывный гетеролазер на основе зарощенной мезаполосковой структуры на подложке p-типа, работающий на длине волны 1,25 мкм, прошел ресурсные испытания при комнатной температуре в открытой атмосфере в течение 6000 ч без существенного изменения порогового тока.