|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 253–258
(Mi qe11245)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Впервые экспериментально обнаружено уменьшение расходимости излучения InGaAsP-гетеролазеров при увеличении температуры. На основе модели волновода с изменяющимися параметрами сделан расчет, который позволяет объяснить температурное уменьшение ширины диаграммы направленности и рост порогового тока. Результаты работы свидетельствуют в пользу волноводного механизма для аномального температурного роста порогового тока длинноволновых InGaAsP-гетеролазеров.
Поступила в редакцию: 24.04.1987
Образец цитирования:
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, “Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 253–258 [Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 160–163]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11245 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i2/p253
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 179 | PDF полного текста: | 76 | Первая страница: | 1 |
|