П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1610–1616 (Mi qe7237)

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение

П. Г. Елисеев^ab, Б. Н. Свердлов^ab, И. Исмаилов^ab, Н. Шохуджаев^ab

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
^b Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе

PDF полного текста (1215 kB) Список цитирования (4)

Аннотация: Изучены спектральные характеристики инжекционных лазеров на основе двойных гетероструктур GalnAsP/InP (λ~1,08–1,61 мкм, 300 K) в зависимости от давления при одноосном сжатии с учетом внутренних остаточных напряжений в активном слое. Определены сдвиговые константы деформационного потенциала валентной зоны b = –2,0 ± 0,1эВ, b' = 1,0 ± 0,1 эВ и константа деформационного потенциала для изменения ширины запрещенной зоны α = – 10,6 ± 0,5 эВ для четверного состава, соответствующего длине волны ~1,3 мкм. Обсуждены механизмы, ответственные за влияние деформации на излучательные характеристики гетеролазеров на основе GalnAsP/InP.

Поступила в редакцию: 18.06.1985

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 8, Pages 1051–1055
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n08ABEH007237

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 68.60.Bs, 73.20.At

Образец цитирования: П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe7237

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i8/p1610

Цикл статей

Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев
Квантовая электроника, 1986, 13:8, 1603–1609
Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев
Квантовая электроника, 1986, 13:8, 1610–1616

Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	152
PDF полного текста:	84
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы