|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1610–1616
(Mi qe7237)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение
П. Г. Елисеевab, Б. Н. Свердловab, И. Исмаиловab, Н. Шохуджаевab a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация:
Изучены спектральные характеристики инжекционных лазеров на основе двойных гетероструктур GalnAsP/InP (λ~1,08–1,61 мкм, 300 K) в зависимости от давления при одноосном сжатии с учетом внутренних остаточных напряжений в активном слое. Определены сдвиговые константы деформационного потенциала валентной зоны b = –2,0 ± 0,1эВ, b' = 1,0 ± 0,1 эВ и константа деформационного потенциала для изменения ширины запрещенной зоны
α = – 10,6 ± 0,5 эВ для четверного состава, соответствующего длине волны ~1,3 мкм. Обсуждены механизмы, ответственные за влияние деформации на излучательные характеристики гетеролазеров на основе GalnAsP/InP.
Поступила в редакцию: 18.06.1985
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7237 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i8/p1610
|
|