|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1859–1867
(Mi qe7375)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Проведены теоретические и экспериментальные исследования оптического усилителя бегущей волны на основе двойной гетероструктуры AlGaAs/GaAs, работающего в непрерывном и импульсном режимах при комнатной температуре. Исследование характеристик усилителя показало, что максимальное значение усиления в активной области составляет 38 дБ и ограничено насыщением из-за спонтанного излучения. Полный аппаратный коэффициент усиления составил 14 дБ. Спектральная ширина полосы усиления достигает 3,6·103 ГГц при неравномерности частотной характеристики 3 дБ.
Поступила в редакцию: 26.06.1985
Образец цитирования:
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода”, Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1859–1867 [Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1221–1226]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7375 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i9/p1859
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 177 | PDF полного текста: | 132 | Первая страница: | 1 |
|