О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs

Экспериментально изучено влияние материала, используемого для заращивания мезаполосковых лазерных гетероструктур на основе GalnPAs/InP, работающих в диапазоне длин волн 1,3 мкм, на порядок поперечных мод лазерного излучения. Использовалось заращивание InP или GalnPAs (с шириной запрещенной зоны 1,17 эВ). Получено, что максимальная одномодовая ширина области излучения увеличивается от 3 мкм в первом случае до ~9 мкм во втором (при толщине активного слоя 0,25 мкм). Получена генерация на вытекающей моде в «антиволноводной» полосковой структуре при толщине 0,13 мкм. Обсуждаются особенности заращивания четверным твердым раствором.