Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 123–127 (Mi qe9858)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта

С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (934 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Обнаружено, что при возбуждении лазеров импульсами тока длительностью несколько микросекунд форма светового импульса отличается от формы токового импульса. Вершина светового импульса содержит ступеньку (скачок световой мощности) при гладкой вершине импульса тока. Изучено изменение спектра излучения и диаграм­мы направленности при таких скачкообразных изменениях мощности. На основе само­фокусировки предложено объяснение подобного поведения лазеров с полосковой формой контакта.
Поступила в редакцию: 25.05.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 1, Pages 68–71
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009858
Реферативные базы данных:
УДК: 621.382
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 123–127 [Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 68–71]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlaBazBog80}
\by С.~А.~Алавердян, В.~Ю.~Баженов, А.~П.~Богатов, Ю.~В.~Гуров, П.~Г.~Елисеев, О.~Г.~Охотников, Г.~Т.~Пак, М.~П.~Рахвальский, К.~А.~Хайретдинов
\paper О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 1
\pages 123--127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9858}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 1
\pages 68--71
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009858}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JE08000015}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9858
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i1/p123
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:178
    PDF полного текста:75
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024