| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях) Лазеры и лазерные среды Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм П. Г. Елисеевa, С. В. Гастевb, А. Коизумиc, Ю. Фудживараc, Я. Такедаc a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург c Nagoya University, Japan
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 11, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n11ABEH002083 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: П. Г. Елисеев, С. В. Гастев, А. Коизуми, Ю. Фудживара, Я. Такеда, “Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм”, Квантовая электроника, 31:11 (2001), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|