Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Елисеев Петр Георгиевич
(1936–2021)
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 137
Научных статей: 131

Статистика просмотров:
Эта страница:480
Страницы публикаций:22281
Полные тексты:13513
Списки литературы:34
профессор
доктор физико-математических наук (1974)
Специальность ВАК: 01.04.03 (радиофизика)
Дата рождения: 3.02.1936
Сайт: https://corscs.lebedev.ru/eliseev/

Научная биография:

Елисеев, Пётр Георгиевич. Исследование физических процессов в инжекционных полупроводниковых лазерах : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.03. - Москва, 1974. - 299 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person84296
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=641315

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2012
1. П. Г. Елисеев, “Н. Г. Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе”, Квантовая электроника, 42:12 (2012),  1073–1080  mathnet  elib [P. G. Eliseev, “N. G. Basov and early works on semiconductor lasers at P. N. Lebedev Physics Institute”, Quantum Electron., 42:12 (2012), 1073–1080  isi  scopus] 1
2009
2. П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой, “Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект”, Квантовая электроника, 39:6 (2009),  501–504  mathnet  elib [P. G. Eliseev, A. Ukhanov, A. Shtints, K. J. Malloy, “Electrical properties of InAs/InGaAs quantum-dot laser heterostructures: A threshold effect”, Quantum Electron., 39:6 (2009), 501–504  isi  scopus] 2
2006
3. П. Г. Елисеев, “К расчету гирофактора в полупроводниковом кольцевом лазере”, Квантовая электроника, 36:8 (2006),  738–740  mathnet  elib [P. G. Eliseev, “On the calculation of the gyro-factor in a semiconductor ring laser”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 738–740  isi  scopus] 8
2005
4. П. Г. Елисеев, “Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. II. Нелинейное взаимодействие мод”, Квантовая электроника, 35:9 (2005),  791–794  mathnet [P. G. Eliseev, “Spectral perturbations in a semiconductor laser: II. Nonlinear interaction of modes”, Quantum Electron., 35:9 (2005), 791–794  isi] 8
5. П. Г. Елисеев, Ч. Лиу, Х. Као, М. А. Осинский, “Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод”, Квантовая электроника, 35:9 (2005),  787–790  mathnet [P. G. Eliseev, Ch. Liu, H. Cao, M. A. Osinski, “Spectral perturbations in a semiconductor laser: I. Anomalous splitting in the mode-beating spectrum”, Quantum Electron., 35:9 (2005), 787–790  isi] 1
2004
6. П. Г. Елисеев, Дж. Ли, М. А. Осинский, “Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией”, Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1127–1132  mathnet [P. G. Eliseev, J. Lee, M. A. Osinski, “Electro-optical properties of UV-emitting InGaN heterostructures considering injection-induced conductivity”, Quantum Electron., 34:12 (2004), 1127–1132  isi] 2
2002
7. П. Г. Елисеев, “Полупроводниковые лазеры – от гомопереходов до квантовых точек”, Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1085–1098  mathnet [P. G. Eliseev, “Semiconductor lasers: from homojunctions to quantum dots”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1085–1098  isi] 5
2001
8. П. Г. Елисеев, С. В. Гастев, А. Коизуми, Ю. Фудживара, Я. Такеда, “Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм”, Квантовая электроника, 31:11 (2001),  962–964  mathnet [P. G. Eliseev, S. V. Gastev, A. Koizumi, Y. Fujiwara, Y. Takeda, “Stimulated emission from GaAs:Er, O at 1538 nm”, Quantum Electron., 31:11 (2001), 962–964  isi] 2
2000
9. П. Г. Елисеев, Х. Ли, Г. Т. Лиу, А. Штинц, Т. С. Ньювел, Л. Ф. Лестер, К. Д. Меллой, “Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель”, Квантовая электроника, 30:8 (2000),  664–668  mathnet [P. G. Eliseev, H. Li, G. T. Liu, A. Shtints, T. C. Newell, L. E. Lester, K. J. Malloy, “Optical gain in InAs/InGaAs quantum-dot structures: Experiments and theoretical model”, Quantum Electron., 30:8 (2000), 664–668  isi] 10
10. П. Г. Елисеев, “Анализ поглощения и усиления в униполярной полупроводниковой структуре с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 30:2 (2000),  152–157  mathnet [P. G. Eliseev, “Analysis of absorption and amplification in a unipolar semiconductor structure with quantum dots”, Quantum Electron., 30:2 (2000), 152–157  isi] 2
1998
11. И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN”, Квантовая электроника, 25:11 (1998),  1013–1016  mathnet [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “High-temperature properties of InGaN light-emitting diodes”, Quantum Electron., 28:11 (1998), 987–990  isi] 3
12. П. Г. Елисеев, И. В. Акимова, “Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур”, Квантовая электроника, 25:3 (1998),  206–210  mathnet [P. G. Eliseev, I. V. Akimova, “Emission from quantum-well InGaAs structures”, Quantum Electron., 28:3 (1998), 198–202  isi] 1
1997
13. П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, “Полупроводниковые лазеры”, Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1067–1079  mathnet [P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, “Semiconductor lasers”, Quantum Electron., 27:12 (1997), 1035–1047  isi] 5
1996
14. И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, П. Перлин, “Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки”, Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1069–1071  mathnet [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, P. Perlin, “Spontaneous emission from a quantum-well GaN/InGaN/AlGaN heterostructure at high pump currents”, Quantum Electron., 26:12 (1996), 1039–1041  isi] 7
15. П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды”, Квантовая электроника, 23:4 (1996),  307–310  mathnet [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Self-distribution of the current in laser diodes and its possible use for reducing the optical nonlinearity of the active medium”, Quantum Electron., 26:4 (1996), 299–302  isi] 5
1995
16. П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, “Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме”, Квантовая электроника, 22:9 (1995),  895–896  mathnet [P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, “Optical strength of the mirror faces of a pulsed InGaAs/GaAs/GaAIAs semiconductor laser”, Quantum Electron., 25:9 (1995), 863–864  isi] 2
17. П. Г. Елисеев, Г. Байстер, А. Е. Дракин, И. В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан, “Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем”, Квантовая электроника, 22:4 (1995),  309–320  mathnet [P. G. Eliseev, G. Beister, A. E. Drakin, I. V. Akimova, G. Erbert, J. Maege, J. Sebastian, “Power hysteresis and waveguide bistability of stripe quantum-well InGaAsGaAsGaAIAs heterolasers with a strained active layer”, Quantum Electron., 25:4 (1995), 291–301  isi] 1
18. П. Г. Елисеев, Ю. Меге, Г. Эрберт, Г. Байстер, “Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 22:2 (1995),  108–110  mathnet [P. G. Eliseev, J. Maege, G. Erbert, G. Beister, “Threshold drop of the differential resistance of stripe quantum-well InGaAsGaAIAs lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 99–101  isi] 3
1994
19. И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408  mathnet [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. I. Shveikin, “Spectral investigation of the radiation emitted by strained InGaAs/GaAlAs quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 373–376  isi]
1993
20. П. Г. Елисеев, П. В. Карга, “Анализ электронного ограничения на полупроводниковой периодической структуре”, Квантовая электроника, 20:9 (1993),  846–850  mathnet [P. G. Eliseev, P. V. Karga, “Analysis of electron confinement by a periodic semiconductor structure”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 733–736  isi]
21. П. Г. Елисеев, Р. Ф. Набиев, А. И. Онищенко, “Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры”, Квантовая электроника, 20:1 (1993),  31–38  mathnet [P. G. Eliseev, R. F. Nabiev, A. I. Onishchenko, “Theoretical analysis of profiled quantum-well laser structures”, Quantum Electron., 23:1 (1993), 26–32  isi]
1992
22. Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031  mathnet [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960  isi] 4
23. П. Г. Елисеев, Б. Н. Захарьев, “О задачах по профилированным “квантовым” ямам и барьерам для оптоэлектронных применений”, Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1014–1017  mathnet [P. G. Eliseev, B. N. Zakhar'ev, “Problems involved in the profiling of quantum wells and barriers for optoelectronic applications”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 944–947  isi]
24. By Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, М. В. Цоцория, “Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 19:7 (1992),  674–676  mathnet [Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, M. V. Tsotsorya, “Interferometric modulation in an optical amplifier based on an InGaAsP/lnP heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 624–626  isi]
1990
25. В. И. Барышев, А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, М. П. Рахвальский, “Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм”, Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150  mathnet [V. I. Baryshev, A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, M. P. Rakhval'skiǐ, “Radiative characteristics of buried mesa stripe heterolasers emitting at 1.5 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1057–1059  isi] 1
1989
26. А. П. Богатов, Н. А. Вагнер, Е. И. Давыдова, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, О. М. Никитина, Г. Т. Пак, “Инжекционный лазер с волноводной линзой”, Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176  mathnet [A. P. Bogatov, N. A. Vagner, E. I. Davydova, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, O. M. Nikitina, G. T. Pak, “Injection laser with a waveguide lens”, Sov J Quantum Electron, 19:11 (1989), 1397–1399  isi]
27. П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова, “Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2074–2077  mathnet [P. G. Eliseev, I. S. Tsimberova, “Nonradiative losses in InGaAsP/InP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1334–1336  isi]
28. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров, “Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1765–1769  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, M. P. Rakhval'skiǐ, A. V. Khaǐdarov, “Investigation of the transverse structure of the radiation field of an injection laser using an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 19:9 (1989), 1135–1137  isi] 1
29. Буй Зуи, Ву Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Е. Т. Неделин, Нгуен Тхи Тхань Фыонг, Нгуен Чыонг Тхонг Ньят, “Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры”, Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1606–1608  mathnet [Bui Huy, Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, E. T. Nedelin, Nguyên Thi Thanh Truong, Nguyên Chyong Thong Nhat, “Single-mode laser amplifier operating in the 1.3 μm range and using a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1034–1036  isi]
30. И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462  mathnet [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306  isi]
1988
31. Ю. Фрам, П. Г. Елисеев, “Лазерные диодные модули”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2245–2246  mathnet [J. Frahm, P. G. Eliseev, “Laser diode modules”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1405–1406  isi]
32. By  Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, М. В. Цоцория, “Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2227–2230  mathnet [Vu Van Luс, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, M. V. Tsotsorya, “Electrical response of InGaAsP/InP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1395–1397  isi]
33. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова, “Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2223–2226  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, G. T. Pak, T. V. Petrakova, “Line width of a single longitudinal mode emitted by an AlGaAs heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1392–1395  isi]
34. А. Л. Вирро, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал, Ю. Э. Халлер, “Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2208–2209  mathnet [A. L. Virro, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, Ya. K. Fridental, Yu. É. Khaller, “Injection lasers based on the AlGaAsSb system emitting at 1,6 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1383–1384  isi]
35. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2171–2172  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363  isi] 40
36. Э. М. Беленов, П. Г. Елисеев, А. Н. Ораевский, В. И. Романенко, А. Г. Соболев, А. В. Усков, “Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре”, Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1595–1601  mathnet [È. M. Belenov, P. G. Eliseev, A. N. Oraevsky, V. I. Romanenko, A. G. Sobolev, A. V. Uskov, “Analysis of optical amplification due to tunneling of electrons in a quantum-well semiconductor heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 995–999  isi] 1
37. А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, “Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой”, Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1552–1554  mathnet [A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, “Width and profile of the emission line of a cw InGaAsP/InP laser with a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 971–972  isi] 2
38. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, “Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 15:2 (1988),  253–258  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, “Influence of temperature on the angular distribution of radiation emitted by InGaAsP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 160–163  isi] 1
1987
39. В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, “Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные испытания лазеров на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 57:8 (1987),  1570–1574  mathnet  isi
40. В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2201–2202  mathnet [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, E. T. Nedelin, V. I. Shveǐkin, “Low-threshold InGaAsP/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403  isi]
41. П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников, “Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs”, Квантовая электроника, 14:4 (1987),  892–894  mathnet [P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. M. Sapozhnikov, “Investigation of the service life of cw GaAIAs/GaAs injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 566–568  isi]
42. A. E. Базаров, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилжанов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова, Т. Н. Пушкина, А. Т. Семенов, “Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей”, Квантовая электроника, 14:4 (1987),  874–876  mathnet [A. E. Bazarov, I. S. Goldobin, P. G. Eliseev, O. A. Kobilzhanov, G. T. Pak, T. V. Petrakova, T. N. Pushkina, A. T. Semenov, “Phase locking of stimulated emission from arrays of stripe GaAIAs/GaAs lasers using active directional couplers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 551–553  isi] 1
43. И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205  mathnet [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122  isi]
1986
44. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, В. Р. Мадгазин, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. В. Хайдаров, “Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2414–2423  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, V. R. Madgazin, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, A. V. Khaǐdarov, “Fluctuations of the intensity of radiation from a single-frequency injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 16:12 (1986), 1596–1602  isi] 2
45. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397  isi] 2
46. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода”, Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1859–1867  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Optical traveling-wave amplifier based on an injection laser diode”, Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1221–1226  isi] 1
47. П. Г. Елисеев, “Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1749–1769  mathnet [P. G. Eliseev, “Causes and distribution of failure of semiconductor lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1151–1164  isi] 4
48. П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1610–1616  mathnet [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anlsotropic deformation on radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. II. Spectral characteristics and discussion”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055  isi] 4
49. П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1603–1609  mathnet [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anisotropic deformation on the radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. I. Lasing threshold, polarization, and wattampere characteristic”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050  isi] 7
50. П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. С. Цимберова, “Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1376–1380  mathnet [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. S. Tsimberova, “Light-emission and degradation characteristics of InGaAsP/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 16:7 (1986), 902–905  isi]
51. П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой, “Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера”, Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1261–1264  mathnet [P. G. Eliseev, Pham Van Hoi, “Study of perforation of a thin-film recording medium by sharply focused GaAlAs/GaAs laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 825–827  isi]
52. Н. Г. Басов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, “Полупроводниковые лазеры”, УФН, 148:1 (1986),  35–53  mathnet; N. G. Basov, P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, “Semiconductor lasers”, Phys. Usp., 29:1 (1986), 20–30 9
1985
53. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870  isi] 26
54. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 12:3 (1985),  465–493  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Nonlinear refraction in semiconductor lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 15:3 (1985), 308–325  isi] 6
55. А. П. Богатов, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Е. Г. Файнбойм, К. А. Хайретдинов, “Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164  mathnet [A. P. Bogatov, I. S. Goldobin, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, E. G. Faǐnboǐm, K. A. Khaǐretdinov, “Continuous-wave single-frequency emission from an injection laser in the form of a terraced heterostructure with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 15:1 (1985), 97–99  isi]
1984
56. В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557  mathnet  isi
57. П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Н. Шохуджаев, “Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1665–1667  mathnet [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, N. Shokhudzhaev, “Reduction of the threshold current of InGaAsP/lnP heterolasers by unidirectional compression”, Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1120–1121  isi] 11
58. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441  isi] 3
59. М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633  mathnet [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432  isi] 1
60. Д. М. Анненков, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Ю. Ф. Федоров, К. А. Хайретдинов, “Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц”, Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232  mathnet [D. M. Annenkov, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, Yu. F. Fedorov, K. A. Khaǐretdinov, “Spectrally matched modulation, at frequencies up to 2 GHz, of injection laser radiation in a traveling-wave amplifier”, Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 163–164  isi] 3
61. П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 11:1 (1984),  178–181  mathnet [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Qualitative analysis of the threshold current of quantum-size semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:1 (1984), 119–121  isi] 9
1983
62. П. Г. Елисеев, А. А. Кочетков, “Ускоренная оценка долговечности инжекционных лазеров и передающих модулей”, Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2118–2120  mathnet [P. G. Eliseev, A. A. Kochetkov, “Accelerated service life tests on injection lasers and transmitter modules”, Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1415–1417  isi] 2
63. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1851–1865  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Interaction of modes and self-stabilization of singlefrequency emission from injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:9 (1983), 1221–1229  isi] 29
64. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния”, Квантовая электроника, 10:4 (1983),  865–867  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Stimulated scattering of light by waves representing excited-state populations”, Sov J Quantum Electron, 13:4 (1983), 540–541  isi] 1
65. В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. С. Курленков, И. А. Скопин, “Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих в диапазоне 1,2–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 10:3 (1983),  633–635  mathnet [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. S. Kurlenkov, I. A. Skopin, “Optical fiber coupling of 1.2–1.6 μ radiation emitted from buried mesastripe injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 382–384  isi]
1982
66. Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, П. Г. Елисеев, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se”, Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2140–2150  mathnet [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, P. G. Eliseev, M. I. Saginuri, R. I. Chikovani, A. P. Shotov, “Analysis of factors influencing the threshold current of Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1391–1397  isi]
67. Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904  mathnet [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238  isi]
68. Ву Ван Лук, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, “Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1851–1853  mathnet [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, “Electrical diagnostics of the operating conditions in a monitoring amplifier based on a laser diode”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1194–1196  isi] 3
69. By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, О. Г. Охотников, С. Н. Соколов, “Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1825–1830  mathnet [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, O. G. Okhotnikov, S. N. Sokolov, “Optoelectronic readout with an injection laser”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1175–1178  isi] 1
70. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127  isi]
71. А. П. Богатов, М. Г. Васильев, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, “Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506  mathnet [A. P. Bogatov, M. G. Vasil'ev, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, N. P. Chernousov, V. I. Shveǐkin, “Tunable cw emission in the 1.3/J range from a GaInPAs/InP heterolaser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 963–965  isi]
1981
72. В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1994–1996  mathnet [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209  isi] 2
73. В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1985–1987  mathnet [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202  isi] 1
74. Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961  mathnet [H.-J. Bachert, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Radiofrequency spectra of mode beats and fluctuations of the intensity of radiation emitted by an injection laser with an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1184–1187  isi] 3
75. С. А. Алавердян, П. Г. Елисеев, H. Д. Жуков, А. И. Попов, И. А. Скопин, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1565–1567  mathnet [S. A. Alaverdyan, P. G. Eliseev, N. D. Zhukov, A. I. Popov, I. A. Skopin, V. I. Shveǐkin, “Radiative characteristics of an injection laser with a zigzag mesastripe AlGaAs–GaAs heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 11:7 (1981), 941–942  isi]
76. В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов, “Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859  mathnet [V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, M. S. Soskin, V. B. Taranenko, K. A. Khaǐretdinov, “Bistable operation and spectral tuning of an injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 510–513  isi] 5
77. П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  206–209  mathnet [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluektov, Yu. M. Popov, “Theory of stimulated glide of dislocations in laser semiconductor crystals under strong pumping conditions”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 123–125  isi]
78. В. И. Бородулин, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, В. И. Швейкин, “Характеристики канального инжекционного гетеролазера”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  193–196  mathnet [V. I. Borodulin, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. B. Sergeev, I. A. Skopin, V. I. Shveǐkin, “Characteristics of a channel injection heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 113–115  isi] 1
1980
79. В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов, “Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644  mathnet [V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, M. S. Soskin, V. B. Taranenko, K. A. Khaǐretdinov, “Optical heterodyning of radiation from an injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1546–1547  isi] 4
80. П. Г. Елисеев, М. Ш. Кобякова, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. Н. Соколов, “Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку”, Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2504–2506  mathnet [P. G. Eliseev, M. Sh. Kobyakova, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. N. Sokolov, “Mesastripe injection heterolaser with heat removal through the substrate”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1464–1465  isi]
81. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах”, Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2487–2488  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, B. N. Sverdlov, “Injection $GaInPAs/InP$ heterojunction laser with $6-7^\circ$ output divergence, emitting nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451  isi]
82. Ю. А. Васильев, Ю. В. Дмитриев, П. Г. Елисеев, И. А. Скопин, В. И. Стафеев, “Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2218–2221  mathnet [Yu. A. Vasil'ev, Yu. V. Dmitriev, P. G. Eliseev, I. A. Skopin, V. I. Stafeev, “Fast-response photodiode based on a surface-barrier $Au-nn^+-GaAs$ structure”, Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1288–1289  isi]
83. П. Г. Елисеев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, “Уширение спектральных мод полупроводникового лазера в режиме пульсаций интенсивности излучения”, Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2197–2201  mathnet [P. G. Eliseev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. B. Sergeev, I. A. Skopin, “Broadening of spectral modes of a semiconductor laser in the case of pulsations of the emission intensity”, Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1273–1275  isi] 1
84. В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992  mathnet [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148  isi] 2
85. П. Г. Елисеев, В. Н. Лавров, “Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор)”, Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1845–1868  mathnet [P. G. Eliseev, V. N. Lavrov, “Use of injection heterojunction lasers in fiber-optic communications systems (review)”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1065–1078  isi] 1
86. П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Свойства планарных полосковых гетеролазеров.  II. Анализ электрических характеристик”, Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1670–1676  mathnet [P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Properties of planar stripe-geometry heterojunction lasers. II. Analysis of electrical characteristics”, Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 966–969  isi] 5
87. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики”, Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1664–1669  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Properties of planar stripe-geometry heterojunction lasers. I. Nonlinear and discontinuous current-power characteristics”, Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 963–966  isi] 1
88. П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров”, Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1407–1416  mathnet [P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “Use of the Epstein dielectric model to describe modes of planar stripe-geometry heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 811–816  isi] 1
89. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, “Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1089–1092  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, Yu. M. Popov, “Injection laser with an unstable resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:5 (1980), 620–622  isi] 35
90. С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта”, Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127  mathnet [S. A. Alaverdyan, V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Stepped shape of radiation pulses emitted by double-heterostructure GaAs–AlGaAs injection lasers with stripe contacts”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 68–71  isi] 2
91. Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96  mathnet [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53  isi] 9
1979
92. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов, “Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод”, Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2639–2641  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, G. G. Kharisov, “Reduction of the divergence of injection laser radiation by excitation of nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1567–1568]
93. Р. Алтынбаев, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Г. Ли, Н. Шохуджаев, “Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2617–2618  mathnet [R. Altynbaev, P. G. Eliseev, I. Ismailov, G. Li, N. Shokhudzhaev, “Diode simulators of solid-state lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1550–1551]
94. П. Г. Елисеев, “Интерпретация эффекта частотной автомодуляции излучения полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2243–2245  mathnet [P. G. Eliseev, “Interpretation of frequency self-modulation of semiconductor laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1316–1317] 3
95. А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. И. Петров, К. А. Хайретдинов, “Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270  mathnet [A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, A. I. Petrov, K. A. Khaǐretdinov, “Single-frequency cw injection heterolaser tunable by an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 9:6 (1979), 743–747] 5
96. П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах”, Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1057–1061  mathnet [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluektov, Yu. M. Popov, “Theory of defect-forming resonance electron capture in laser crystals”, Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 619–621]
1978
97. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2493–2495  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Hysteresis of the output radiation power of cw AlGaAs heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1408–1409] 3
98. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405]
99. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, Е. Г. Сухов, К. А. Хайретдинов, “Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2408–2415  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, E. G. Sukhov, K. A. Khaǐretdinov, “Anomalous stimulated emission kinetics of semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures. II. Theory”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1351–1355] 1
100. А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, К. А. Хайретдинов, “Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2402–2407  mathnet [A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, K. A. Khaǐretdinov, “Anomalous stimulated emission kinetics of semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures. I. Experimental investigation using an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1348–1351] 1
101. П. Г. Елисеев, В. Н. Лавров, Ю. М. Попов, “Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод”, Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2038–2041  mathnet [P. G. Eliseev, V. N. Lavrov, Yu. M. Popov, “Influence of the operation regime of an injection laser on the efficiency of coupling of its radiation into an optical waveguide”, Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1150–1152]
102. Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978),  703–704  mathnet [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] 19
103. Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью выходной характеристики”, Квантовая электроника, 5:3 (1978),  603–608  mathnet [H.-J. Bachert, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Mode deformation due to self-focusing in injection lasers and its connection with nonlinearity of the output characteristic”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 346–349] 11
104. П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, “О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации”, Квантовая электроника, 5:1 (1978),  203–206  mathnet [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluéktov, “Mechanism of the displacement of atoms in laser crystals as a result of nonradiative recombination”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 124–126] 1
1977
105. И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, Д. Ахмедов, П. Г. Елисеев, “Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1821–1823  mathnet [I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, D. Akhmedov, P. G. Eliseev, “Characteristics of n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub> heterojunction lasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1039–1040]
106. О. И. Даварашвили, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Многокомпонентные твердые растворы соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>”, Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907  mathnet [O. I. Davarashvili, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Multicomponent solid solutions of IV-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 7:4 (1977), 508–510] 2
1976
107. А. П. Богатов, Х.-Ю. Бахерт, П. Г. Елисеев, А. Клер, М. А. Манько, “Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1819–1821  mathnet [A. P. Bogatov, H.-J. Bachert, P. G. Eliseev, A. Kler, M. A. Man'ko, “Radiative characteristics of an injection laser with an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 6:8 (1976), 990–991] 2
108. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин, “О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1609–1611  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, V. V. Mamutin, “Influence of excess carriers on the permittivity of GaAs at the frequency of radiative transitions in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 873–874] 2
109. Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, “Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1381–1393  mathnet [L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] 11
110. Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As”, Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1080–1084  mathnet [R. Altynbaev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Investigation of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As injection heterolasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579]
111. Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934  mathnet [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] 5
112. Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976),  465–466  mathnet [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] 11
1975
113. П. Г. Елисеев, В. Г. Ильин, Г. О. Карапетян, В. Я. Лившиц, Г. Д. Негодаев, А. В. Хайдаров, “Применение градиентных световодов в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 2:4 (1975),  848–850  mathnet [P. G. Eliseev, V. G. Il'in, G. O. Karapetyan, V. Ya. Livshits, G. D. Negodaev, A. V. Khaidarov, “Use of gradient light guides in semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:4 (1975), 472–473]
114. П. Г. Елисеев, А. В. Хайдаров, “О роли механических напряжений в постепенной деградации светоизлучающих диодов и инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 2:1 (1975),  127–129  mathnet [P. G. Eliseev, A. V. Khaidarov, “Role of mechanical stresses in gradual degradation of light-emitting diodes and injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:1 (1975), 73–74] 4
1974
115. А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295  mathnet [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] 66
116. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере”, Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2286–2288  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Anomalous interaction of spectral modes in a semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1275–1276] 13
117. Х. Бахерт, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, В. К. Петров, З. Рааб, В. П. Страхов, Чан Минь Тхай, “Исследование пикосекундной структуры и режима ультракоротких импульсов излучения инжекционных лазеров интерферометрическим методом”, Квантовая электроника, 1:9 (1974),  1988–1993  mathnet [H. Bachert, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, V. K. Petrov, S. Raab, V. P. Strakhov, Ch. M. Tsai, “Interferometric investigations of the picosecond structure and conditions for the emission of ultrashort pulses from injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:9 (1975), 1102–1105] 5
118. П. Г. Елисеев, И. 3. Пинскер, Ю. Ф. Федоров, “О деградации инжекционных лазеров в процессе работы и под действием быстрых частиц”, Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1271–1273  mathnet [P. G. Eliseev, I. Z. Pinsker, Yu. F. Fedorov, “Degradation of injection lasers during operation and under the influence of fast particles”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 707–708]
119. Д. Аккерман, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, 3. Рааб, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе”, Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1145–1149  mathnet [D. Akkerman, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Z. Raab, B. N. Sverdlov, “Injection laser with a diffraction grating in its resonator”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 626–628] 2
120. П. Г. Елисеев, Чан Минь Тхай, “Исследование закономерностей многомодового возбуждения в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1138–1144  mathnet [P. G. Eliseev, Ch. M. Ts'ai, “Investigation of the relationships governing multimode excitation in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 622–625] 1
121. П. Г. Елисеев, А. И. Красильников, А. В. Хайдаров, Г. Г. Харисов, “Управление поляризацией излучения гетеролазера с помощью одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 1:1 (1974),  196–197  mathnet [P. G. Eliseev, A. I. Krasil'nikov, A. V. Khaidarov, G. G. Kharisov, “Control of the polarization of heterolaser radiation by uniaxial compression”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 120]
122. П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов, “Влияние СВЧ-модуляции на спектр излучения инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 1:1 (1974),  151–154  mathnet [P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, K. Ya. Senatorov, “Influence of microwave modulation on the emission spectrum of an injection laser”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 86–87] 2
1973
123. П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, Е. П. Никитин, “Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом”, Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  116–117  mathnet [P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, E. P. Nikitin, “Internal Q switching in single-sided heterojunction injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 433–434] 1
124. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов, “О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации”, Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  14–20  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, K. Ya. Senatorov, “Kinetics of the emission spectrum of an injection laser and collapse of single-mode emission”, Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 372–375] 1
125. П. Г. Елисеев, Н. Н. Шуйкин, “Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры (обзор)”, Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  5–26  mathnet [P. G. Eliseev, N. N. Shuikin, “Single-mode and single-frequency injection lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 3:3 (1973), 181–192] 10
1972
126. П. Г. Елисеев, “Инжекционные лазеры на гетеропереходах (обзор)”, Квантовая электроника, 1972, № 6(12),  3–28  mathnet [P. G. Eliseev, “Heterojunction injection lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 2:6 (1973), 505–519] 8
127. П. Г. Елисеев, Д. Н. Морозов, Ю. Ф. Федоров, “О статистическом распределении отказов инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  107  mathnet [P. G. Eliseev, D. N. Morozov, Yu. F. Fedorov, “Statistical distribution of the failure of injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 292–293]
128. П. Г. Елисеев, И. З. Пинскер, Ю. Ф. Федоров, “Эмпирическая оценка срока службы инжекционных лазеров по кратковременным испытаниям”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  105–106  mathnet [P. G. Eliseev, I. Z. Pinsker, Yu. F. Fedorov, “Empirical estimation of the service life of injection lasers from short-term tests”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 290–291]
1971
129. А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. И. Пантелеев, Е. Г. Шевченко, “Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций”, Квантовая электроника, 1971, № 5,  93–95  mathnet [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, V. I. Panteleev, E. G. Shevchenko, “Comparison of the instantaneous and averaged emission spectra of an injection laser operating under spiking conditions”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 500–502] 3
130. П. Г. Елисеев, “Об оптимальной толщине активного слоя в гетеролазере”, Квантовая электроника, 1971, № 3,  120–121  mathnet [P. G. Eliseev, “Optimal thickness of the active layer in a heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 304–305] 2
131. Д. Акерман, П. Г. Елисеев, А. Кайпер, М. А. Манько, 3. Рааб, “Методы селекции типов колебаний в инжекционных ПКГ”, Квантовая электроника, 1971, № 1,  85–90  mathnet [D. Akerman, P. G. Eliseev, A. Kaiper, M. A. Man'ko, Z. Raab, “Methods for mode selection in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 1:1 (1971), 60–64] 9
1990
132. П. Г. Елисеев, “Лазерная инженерия”, УФН, 160:2 (1990),  338–339  mathnet; P. G. Eliseev, “Laser engineering”, Phys. Usp., 33:2 (1990), 168
1988
133. П. Г. Елисеев, “Краткий обзор материалов конференции”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2175–2177  mathnet [P. G. Eliseev, “Brief review of papers presented at the SELCO-87 Conference”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1365–1366  isi]
1978
134. П. Г. Елисеев, М. А. Херман, “Вторая международная школа полупроводниковой оптоэлектроники «Цетнево-1978»”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2503–2506  mathnet [P. G. Eliseev, M. A. Herman, “Second International School on Semiconductor Optoelectronics “Cetniewo, 1978””, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1415–1417]
1977
135. Е. М. Дианов, П. Г. Елисеев, “II совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (Уиллиамсбург, США, 22–24 февраля 1977 г.)”, Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2059–2065  mathnet [E. M. Dianov, P. G. Eliseev, “Second Topical Meeting on Optical Fiber Transmission Williamsburg, Va., February 22–24,1977”, Sov J Quantum Electron, 7:9 (1977), 1185–1189]
1976
136. П. Г. Елисеев, М. А. Херман, “Международная осенняя школа полупроводниковой оптоэлектроники «ЦЕТНЕВО-1975»”, Квантовая электроника, 3:3 (1976),  672–674  mathnet [P. G. Eliseev, M. A. Herman, “International Autumn School on Semiconductor Optoelectronics “Cetniewo 1975””, Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 375–376]
1975
137. П. Г. Елисеев, “Физические процессы в гетеропереходах. Первая Всесоюзная конференция Кишинев. (30 октября – 1 ноября 1974 г.)”, Квантовая электроника, 2:3 (1975),  623–627  mathnet [P. G. Eliseev, “First Ail-Union Conference on Physical Processes in Heterojunctions, Kishinev, October 30–November 1,1974”, Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 353–355]

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024