Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Marmalyuk, Aleksandr Anatol'evich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 90
Scientific articles: 87

Number of views:
This page:1426
Abstract pages:22772
Full texts:7287
References:1728
Doctor of technical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person47948
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. P. S. Gavrina, A. A. Podoskin, I. Shushkanov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Kvantovaya Elektronika, 54:4 (2024),  218–223  mathnet
2. K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, S. H. Abdulrazak, A. V. Babichev, G. M. Savchenko, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями”, Kvantovaya Elektronika, 54:2 (2024),  100–103  mathnet
2023
3. N. N. Bragin, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, “Features of high-power uni-traveling-carrier InGaAs/InP photodiodes”, Kvantovaya Elektronika, 53:11 (2023),  883–886  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S180–S184]
4. N. V. Gultikov, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, L. I. Shestak, V. A. Panarin, M. Yu. Starynin, A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, “High-power laser diode arrays based on (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs and GaAsP/GaInP/GaAs quantum-well heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 53:8 (2023),  667–671  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391–S1397] 1
5. K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Metal–dielectric mirror coatings for 4–5-μm quantum-cascade lasers”, Kvantovaya Elektronika, 53:8 (2023),  641–644  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1356–S1360] 1
6. V. I. Kozlovsky, S. M. Zhenishbekov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Study of a semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a heterostructure with Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As quantum wells under optical pumping with different radiation wavelengths”, Kvantovaya Elektronika, 53:8 (2023),  636–640  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1348–S1355] 1
7. D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “New high-reliability optical transmission modules based on powerful superluminescent diodes in the spectral range 1.5 – 1.6 μm”, Kvantovaya Elektronika, 53:7 (2023),  561–564  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1246–S1251]
8. K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, G. M. Savchenko, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Dielectric highly reflective mirror coatings for quantum cascade lasers with 4 - 5 μm emission wavelength”, Kvantovaya Elektronika, 53:5 (2023),  370–373  mathnet 1
9. S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Kvantovaya Elektronika, 53:1 (2023),  11–16  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] 1
2022
10. A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, “Semiconductor lasers with improved radiation characteristics”, Kvantovaya Elektronika, 52:12 (2022),  1079–1087  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417]
11. D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes”, Kvantovaya Elektronika, 52:6 (2022),  577–579  mathnet [Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579  scopus] 1
12. M. R. Butaev, Ya. K. Skasyrsky, V. I. Kozlovsky, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1–y</sub>As heterostructure with optical and electron beam pumping”, Kvantovaya Elektronika, 52:4 (2022),  362–366  mathnet [Quantum Electron., 52:4 (2022), 362–366  scopus] 1
13. N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Kvantovaya Elektronika, 52:2 (2022),  179–181  mathnet [Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181  isi  scopus] 3
14. S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, P. S. Gavrina, D. A. Veselov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “High-power mesa-stripe semiconductor lasers (910 nm) with an ultra-wide emitting aperture based on tunnel-coupled InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 52:2 (2022),  174–178  mathnet [Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178  isi  scopus] 3
2021
15. A. A. Podoskin, P. S. Gavrina, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Turn on process spatial dynamics of a thyristor laser (905nm) based on an AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:5 (2021),  466–472  mathnet  elib
16. A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, K. A. Podgaetskii, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “Heterostructures of quantum-cascade lasers with nonselective overgrowth by metalorganic vapour phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:24 (2021),  46–50  mathnet  elib 1
17. T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Kvantovaya Elektronika, 51:10 (2021),  912–914  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914  isi  scopus] 3
18. V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Kvantovaya Elektronika, 51:10 (2021),  909–911  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911  isi  scopus] 1
19. N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Kvantovaya Elektronika, 51:10 (2021),  905–908  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908  isi  scopus] 3
20. N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 51:4 (2021),  283–286  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286  isi  scopus] 5
21. N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Kvantovaya Elektronika, 51:2 (2021),  133–136  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136  isi  scopus] 5
22. Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Podoskin, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Experimental technique for studying optical absorption in waveguide layers of semiconductor laser heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 51:2 (2021),  124–128  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:2 (2021), 124–128  isi  scopus] 3
2020
23. A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  420–425  mathnet  elib; Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 3
24. A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:3 (2020),  292–295  mathnet  elib; Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 1
25. V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Kvantovaya Elektronika, 50:12 (2020),  1123–1125  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125  isi  scopus] 5
26. T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Kvantovaya Elektronika, 50:11 (2020),  1001–1003  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003  isi  scopus] 3
27. D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Kvantovaya Elektronika, 50:9 (2020),  830–833  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833  isi  scopus] 3
28. O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, V. A. Simakov, V. N. Svetogorov, R. V. Chernov, “1.5 – 1.6 μm semiconductor lasers with an asymmetric periodic optically coupled waveguide”, Kvantovaya Elektronika, 50:6 (2020),  600–602  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:6 (2020), 600–602  isi  scopus] 1
29. K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Kvantovaya Elektronika, 50:5 (2020),  489–492  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492  isi  scopus] 4
30. O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 50:2 (2020),  143–146  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146  isi  scopus] 7
2019
31. P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:8 (2019),  7–11  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 3
32. T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Kvantovaya Elektronika, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus] 6
33. E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiĭ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 49:10 (2019),  931–935  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935  isi  scopus] 1
34. M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 49:10 (2019),  905–908  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908  isi  scopus] 4
35. A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiĭ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Kvantovaya Elektronika, 49:9 (2019),  810–813  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813  isi  scopus] 2
36. O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetric-waveguide multimode lasers”, Kvantovaya Elektronika, 49:7 (2019),  649–652  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652  isi  scopus] 6
37. M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, “Effect of (Al)GaAs/AlGaAs quantum confinement region parameters on the threshold current density of laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  529–534  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 529–534  isi  scopus] 3
38. A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  519–521  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521  isi  scopus] 1
39. Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Kvantovaya Elektronika, 49:5 (2019),  488–492  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  isi  scopus] 3
2018
40. K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
41. A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  463  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 8
42. M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 48:11 (2018),  993–995  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995  isi  scopus] 5
43. P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetricwaveguide single-mode lasers”, Kvantovaya Elektronika, 48:6 (2018),  495–501  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501  isi  scopus] 11
44. A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Kvantovaya Elektronika, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus] 13
2017
45. M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Kvantovaya Elektronika, 47:8 (2017),  693–695  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695  isi  scopus] 6
46. M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Kvantovaya Elektronika, 47:4 (2017),  291–293  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293  isi  scopus] 11
47. A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus] 25
2016
48. M. A. Surnina, R. Kh. Akchurin, A. A. Marmalyuk, T. A. Bagaev, A. L. Sizov, “Growing InAs/GaAs quantum dots by droplet epitaxy under MOVPE conditions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:14 (2016),  66–71  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 747–749 1
49. I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Kvantovaya Elektronika, 46:5 (2016),  447–450  mathnet  elib [Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450  isi  scopus] 4
2015
50. A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 102:4 (2015),  235–239  mathnet  elib; JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211  isi  scopus 17
51. Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. Yu. Chamorovsky, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Semiconductor lasers with a continuous tuning range above 100 nm in the nearest IR spectral region”, Kvantovaya Elektronika, 45:8 (2015),  697–700  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:8 (2015), 697–700  isi  scopus] 4
52. N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Kvantovaya Elektronika, 45:7 (2015),  601–603  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603  isi  scopus] 6
2013
53. E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Broadband semiconductor optical amplifiers of the spectral range 750 – 1100 nm”, Kvantovaya Elektronika, 43:11 (2013),  994–998  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:11 (2013), 994–998  isi  scopus] 14
54. A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Kvantovaya Elektronika, 43:10 (2013),  895–897  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897  isi  scopus] 15
55. P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 43:9 (2013),  822–823  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823  isi  scopus] 2
56. P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Kvantovaya Elektronika, 43:9 (2013),  819–821  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821  isi  scopus] 2
57. E. V. Andreeva, S. N. Il'ichenko, Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes with bell-shaped spectra emitting in the range from 800 to 900 nm”, Kvantovaya Elektronika, 43:8 (2013),  751–756  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:8 (2013), 751–756  isi  scopus] 9
58. N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Kvantovaya Elektronika, 43:6 (2013),  509–511  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511  isi  scopus] 7
59. M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 43:5 (2013),  407–409  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409  isi  scopus] 15
2012
60. S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Nearest-IR superluminescent diodes with a 100-nm spectral width”, Kvantovaya Elektronika, 42:11 (2012),  961–963  mathnet  elib [Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963  isi  scopus] 3
61. A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 42:1 (2012),  15–17  mathnet  elib [Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17  isi  scopus] 12
2011
62. A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. A. Marmalyuk, N. A. Volkov, V. S. Zholnerov, “Spectral characteristics of a laser emitter designed for pumping and detecting a reference quantum transition of a caesium frequency standard”, Kvantovaya Elektronika, 41:8 (2011),  692–696  mathnet  elib [Quantum Electron., 41:8 (2011), 692–696  isi  scopus] 8
63. S. N. Il'chenko, Yu. O. Kostin, I. A. Kukushkin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes and semiconductor optical amplifiers for the spectral range 750 — 800 nm”, Kvantovaya Elektronika, 41:8 (2011),  677–680  mathnet  elib [Quantum Electron., 41:8 (2011), 677–680  isi  scopus] 7
2010
64. E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus] 3
65. E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus] 5
66. A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Amplification of terahertz radiation on transitions between Wannier–Stark ladders in weak-barrier superlattices”, Kvantovaya Elektronika, 40:5 (2010),  400–405  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:5 (2010), 400–405  isi  scopus] 11
67. I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Kvantovaya Elektronika, 40:2 (2010),  95–97  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97  isi  scopus] 8
2009
68. R. Kh. Akchurin, L. B. Berliner, A. A. Maldzhy, A. A. Marmalyuk, “Mathematical model for simulation of indium segregation and mismatch stress in InGaAs/GaAs multiple QWs heterostructures”, Matem. Mod., 21:5 (2009),  114–126  mathnet 1
69. E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Kvantovaya Elektronika, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus] 14
70. A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. N. Yablonskii, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, “Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 39:3 (2009),  247–250  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:3 (2009), 247–250  isi  scopus] 2
71. E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi] 3
2008
72. M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus] 11
73. E. V. Andreeva, N. A. Volkov, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, D. R. Sabitov, S. D. Yakubovich, “Broadband near-IR double quantum-well heterostructure superluminescent diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:8 (2008),  744–746  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746  isi  scopus] 1
74. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:2 (2008),  97–102  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102  isi  scopus] 2
2007
75. A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, R. V. Chernov, “Refractive indices of solid AlGaInAs solutions”, Kvantovaya Elektronika, 37:6 (2007),  545–548  mathnet  elib [Quantum Electron., 37:6 (2007), 545–548  isi  scopus] 10
2006
76. P. I. Lapin, D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. D. Yakubovich, “High-power broadband superluminescent diodes emitting in the 1000–1100-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 36:4 (2006),  315–318  mathnet  elib [Quantum Electron., 36:4 (2006), 315–318  isi  scopus] 11
2005
77. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 35:10 (2005),  909–911  mathnet [Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911  isi] 2
2004
78. E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Kvantovaya Elektronika, 34:9 (2004),  805–808  mathnet [Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808  isi] 1
79. D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, S. D. Yakubovich, V. V. Prokhorov, “Double-pass superluminescent multilayer quantum-well (GaAl)As heterostructure diodes with a reduced power consumption”, Kvantovaya Elektronika, 34:3 (2004),  206–208  mathnet [Quantum Electron., 34:3 (2004), 206–208  isi] 1
2003
80. A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, UFN, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi 17
2002
81. V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 32:12 (2002),  1099–1104  mathnet [Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104  isi] 21
82. A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 32:9 (2002),  809–814  mathnet [Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814  isi] 4
83. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  216–218  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  isi]
84. P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi] 7
2001
85. A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Kvantovaya Elektronika, 31:8 (2001),  659–660  mathnet [Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660  isi] 5
1999
86. V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the <i>p</i> — <i>n</i> junction”, Kvantovaya Elektronika, 27:1 (1999),  1–2  mathnet [Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284  isi] 1
1998
87. A. A. Marmalyuk, R. Kh. Akchurin, V. A. Gorbylev, “Theoretical calculation of the Debye temperature and temperature dependence of heat capacity of aluminum, gallium and indium nitrides”, TVT, 36:5 (1998),  839–842  mathnet; High Temperature, 36:5 (1998), 817–819  isi 4
2024
88. V. V. Dudelev, E. D. Cherotchenko, I. I. Vrubel, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, V. Yu. Mylnikov, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Babichev, A. V. Lutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, K. A. Podgaetskiy, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, I. I. Novikov, V. I. Kuchinskii, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Quantum cascade lasers for the 8-$\mu$m spectral range: technology, design, and analysis”, UFN, 194:1 (2024),  98–105  mathnet; Phys. Usp., 67:1 (2024), 92–98  isi  scopus 3
2018
89. O. N. Krokhin, Yu. V. Gulyaev, A. S. Sigov, I. A. Shcherbakov, M. G. Vasil'ev, V. P. Duraev, A. G. Zabrodskii, G. M. Zverev, I. B. Kovsh, Yu. A. Krotov, E. V. Kuznetsov, A. A. Marmalyuk, Yu. M. Popov, A. S. Semenov, V. A. Simakov, “In memory of Vasilii Ivanovich Shveikin (4 February 1935 – 4 January 2018)”, Kvantovaya Elektronika, 48:3 (2018),  290  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:3 (2018), 290  isi]
2002
90. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Errata to the article: Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:6 (2002),  564  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024