Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Кукушкин Сергей Арсеньевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 77
Научных статей: 77

Статистика просмотров:
Эта страница:719
Страницы публикаций:4795
Полные тексты:1704
профессор
доктор физико-математических наук (1982)
E-mail:
Сайт: http://https:// http://www.ipme.ru/ipme/labs/phase/kukushkin_rus.html

Основные темы научной работы

теоретические и экспериментальные исследования фазовых переходов первого рода в одно- и многокомпонентных системах, зарождение тонких плёнок, наноструктур и квантовых точек, зарождение пор и трещин; рост карбида кремния на кремнии; рост плёнок нитридов III группы таблицы Менделеева на кремнии

https://www.mathnet.ru/rus/person65077
https://ru.wikipedia.org/wiki/Кукушкин,_Сергей_Арсеньевич
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=17257
ИСТИНА https://istina.msu.ru/workers/458857252
https://orcid.org/0000-0002-2973-8645
https://www.webofscience.com/wos/author/record/P-4505-2016
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=57217527867

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 6
2. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202  mathnet  elib 2
3. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033  mathnet  elib 3
4. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111  mathnet  elib; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 12
5. В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35  mathnet  elib 1
6. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10  mathnet  elib
7. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  51–54  mathnet  elib 1
8. Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6  mathnet  elib 3
9. Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 6
10. А. В. Солнышкин, О. Н. Сергеева, О. А. Шустова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. В. Старицын, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин, И. П. Пронин, “Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  7–10  mathnet  elib; A. V. Solnyshkin, O. N. Sergeeva, O. A. Shustova, Sh. Sh. Sharofidinov, M. V. Staritsyn, E. Yu. Kaptelov, S. A. Kukushkin, I. P. Pronin, “Dielectric and pyroelectric properties of composites based on aluminum and gallium nitrides grown by chloride-hydride epitaxy on a silicon carbide-on-silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 466–469 5
11. А. А. Корякин, Ю. А. Еремеев, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  25–28  mathnet  elib; A. A. Koryakin, Yu. A. Eremeev, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “The influence of the porosity of silicon layer on the elastic properties of hybrid SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:2, 126–129 4
2020
12. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 3
13. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 2
14. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  3–5  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The optical properties, energy band structure, and interfacial conductance of a 3$C$-SiC(111)/Si(111) heterostructure grown by the method of atomic substitution”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1103–1106 9
15. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  3–6  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, I. A. Kasatkin, A. S. Loshachenko, “Low-temperature growth of the CdS cubic phase by atomic-layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052 3
16. Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31  mathnet  elib; D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, A. V. Osipov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Comparative ellipsometric analysis of silicon carbide polytypes 4$H$, 15$R$, and 6$H$ produced by a modified Lely method in the same growth process”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971 4
17. А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38  mathnet  elib; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 6
18. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, Sh. Sh. Sharofidinov, “Epitaxial growth of bulk semipolar aln films on Si(001) and hybrid SiC/Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542 5
2019
19. G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, S. N. Timoshnev, “Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2436  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2455–2458 1
20. О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, Т. С. Ильина, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин, “Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2379–2384  mathnet  elib; O. N. Sergeeva, A. V. Solnyshkin, D. A. Kiselev, T. S. Ilina, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, E. Yu. Kaptelov, I. P. Pronin, “Influence of orientation of a silicon substrate with a buffer silicon carbide layer on dielectric and polar properties of aluminum nitride films”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2386–2391 8
21. С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, “Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2338–2343  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, “A new method of growing AlN, GaN, and AlGaN bulk crystals using hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2342–2347 14
22. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2334–2337  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of diffusion of carbon and silicon monooxides in a cubic silicon carbide crystal”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2338–2341 1
23. Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, “Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321  mathnet  elib; L. M. Sorokin, M. Yu. Gutkin, A. V. Myasoedov, A. E. Kalmykov, V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, “Dislocation reactions in a semipolar gallium nitride layer grown on a vicinal Si(001) substrate using aluminum nitride and 3$C$–SiC buffer layers”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2316–2320 1
24. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Study of elastic properties of SiC films synthesized on Si substrates by the method of atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2310–2312 2
25. С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев, “Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2294–2297  mathnet  elib; S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 3
26. А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293  mathnet  elib; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 4
27. Л. Н. Давыдов, С. А. Кукушкин, “Международная конференция “Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок”, посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В.В. Слёзова”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2269–2273  mathnet  elib; L. N. Davydov, S. A. Kukushkin, “Proceedings of the International Conference “Mechanisms and nonlinear problems of nucleation and growth of crystals and thin films”, dedicated to the memory of the outstanding theoretical physicist professor V.V. Slyozov”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2249–2253 1
28. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Пути политипных превращений в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1443–1447  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Pathways of transitions between polytypes in silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1389–1393
29. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Two-stage conversion of silicon to nanostructured carbon by the method of coordinated atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 456–463 5
30. А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 15
31. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  422–425  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Microscopic description of the mechanism of transition between the 2$H$ and 4$H$ polytypes of silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 288–291 4
32. А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Н. В. Сибирев, “Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  370–380  mathnet  elib; A. A. Koryakin, S. A. Kukushkin, N. V. Sibirev, “On the mechanism of the vapor–solid–solid growth of Au-catalyzed GaAs nanowires”, Semiconductors, 53:3 (2019), 350–360 12
33. С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 4
34. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  11–14  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of zinc sulfide by atomic layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1075–1077 2
35. Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27  mathnet  elib; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 14
36. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 8
2018
37. Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры”, Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027  mathnet  elib; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “A new trigonal (rhombohedral) sic phase: ab initio calculations, a symmetry analysis and the Raman spectra”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2066–2071 4
38. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1841–1846  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of formation of carbon–vacancy structures in silicon carbide during its growth by atomic substitution”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1891–1896 10
39. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 24
40. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509 6
41. И. П. Калинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  656–663  mathnet  elib; I. P. Kalinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Effect of chemical treatment of a silicon surface on the quality and structure of silicon-carbide epitaxial films synthesized by atom substitution”, Semiconductors, 52:6 (2018), 802–808 18
42. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 2
43. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 10
2017
44. С. А. Грудинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408  mathnet  elib; S. A. Grudinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2430–2435 8
45. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния”, Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1214–1217  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1238–1241 3
46. С. А. Кукушкин, К. Х. Нусупов, А. В. Осипов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, “Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 59:5 (2017),  986–998  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, K. Kh. Nussupov, A. V. Osipov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, “X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 1014–1026 10
47. В. К. Егоров, Е. В. Егоров, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:4 (2017),  755–761  mathnet  elib; V. K. Egorov, E. V. Egorov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 773–779 3
48. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681 4
49. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:2 (2017),  385–388  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 399–402 5
50. Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:1 (2017),  30–35  mathnet  elib; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 28–33 6
51. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 1
52. А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 10
53. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types”, Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401 12
54. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 43:13 (2017),  81–88  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 631–634 15
2016
55. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 10
56. С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 22
57. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, “Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1398–1402  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, “Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1448–1452 19
58. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Р. С. Телятник, “Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах”, Физика твердого тела, 58:5 (2016),  941–949  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, R. S. Telyatnik, “Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 971–980 12
59. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, О. Н. Сергеева, Д. А. Киселев, А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, И. П. Пронин, “Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:5 (2016),  937–940  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, O. N. Sergeeva, D. A. Kiselev, A. A. Bogomolov, A. V. Solnyshkin, E. Yu. Kaptelov, S. V. Senkevich, I. P. Pronin, “Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 967–970 14
60. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния”, Физика твердого тела, 58:4 (2016),  725–729  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 747–751 13
61. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии”, Физика твердого тела, 58:3 (2016),  612–615  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 629–632 9
62. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 3
63. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, Б. В. Сеньковский, С. Н. Тимошнев, “Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  465–469  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, B. V. Senkovskiy, S. N. Timoshnev, “Induced surface states of the ultrathin Ва/3$C$-SiC(111) interface”, Semiconductors, 50:4 (2016), 457–461 2
64. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 3
65. А. В. Редьков, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 639–643 5
66. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016),  16–22  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 175–178 16
1998
67. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Процессы конденсации тонких пленок”, УФН, 168:10 (1998),  1083–1116  mathnet; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Thin-film condensation processes”, Phys. Usp., 41:10 (1998), 983–1014  isi 238
1992
68. С. А. Кукушкин, Т. В. Сакало, “Кинетика диффузионной коалесценции твердых растворов и температурной коалесценции однокомпонентных расплавов в случае послойного роста ядер новой фазы”, Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1102–1108  mathnet  isi
69. Т. В. Сакало, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель и эксперимент”, ЖТФ, 62:3 (1992),  100–105  mathnet  isi
1990
70. Т. В. Сакало, С. А. Кукушкин, “Теоретические основы релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса”, ЖТФ, 60:7 (1990),  78–83  mathnet  isi
1988
71. А. В. Шапурко, Л. А. Громов, С. А. Кукушкин, В. И. Штанько, “Диффузионный рост вакансионных пор в облученных монокристаллах бромида цезия”, Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3493–3496  mathnet  isi
72. С. А. Кукушкин, В. В. Слезов, “Кристаллизация бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов при наличии стоков и источников тепла и вещества”, Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3231–3235  mathnet  isi
73. В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Релаксационная жидкостная эпитаксия, основанная на инверсии массопереноса, и ее возможности для создания супертонких слоев A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 58:8 (1988),  1507–1512  mathnet  isi
1987
74. С. А. Кукушкин, В. В. Слезов, “Кристаллизация бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов в неизотермических условиях”, Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3657–3666  mathnet  isi
75. В. В. Слезов, С. А. Кукушкин, “К теории неизотермической коалесценции при распаде пересыщенных твердых растворов”, Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1812–1818  mathnet  isi
1986
76. Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, А. Т. Денисова, С. Е. Клименко, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Создание супертонких слоев GaAs на подложке GaAlAs жидкостной эпитаксией”, ЖТФ, 56:5 (1986),  910–913  mathnet  isi
1985
77. С. А. Кукушкин, “Кинетика кристаллизации однокомпонентных расплавов”, Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2987–2991  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024