Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 10, страницы 1886–1889 (Mi ftt9806)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводники

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резникabc, К. П. Котлярad, И. В. Илькивab, И. П. Сошниковade, С. А. Кукушкинacf, А. В. Осиповafc, Е. В. Никитинаa, Г. Э. Цырлинcga

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
f Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
g Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (689 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния. Исследованы морфологические и оптические свойства полученной системы. Показано, что интенсивность пика спектра фотолюминесценции у таких структур более чем в 2 раза выше, чем у лучших структур нитевидных нанокристаллов GaN без буферного слоя карбида кремния.
Поступила в редакцию: 08.04.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 10, Pages 1952–1955
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416100292
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889; Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezKotIlk16}
\by Р.~Р.~Резник, К.~П.~Котляр, И.~В.~Илькив, И.~П.~Сошников, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, Е.~В.~Никитина, Г.~Э.~Цырлин
\paper Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 10
\pages 1886--1889
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9806}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368767}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 10
\pages 1952--1955
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416100292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9806
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i10/p1886
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024