Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 651–658
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44423.8458 (Mi phts6161) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния

А. С. Гращенкоa, Н. А. Феоктистовab, А. В. Осиповac, Е. В. Калининаb, С. А. Кукушкинacd

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (323 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44423.8458
Аннотация: Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний–карбид кремния (карбид кремния–кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний–карбид кремния.
Поступила в редакцию: 22.11.2016
Принята в печать: 28.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 621–627
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050086
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658; Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraFeoOsi17}
\by А.~С.~Гращенко, Н.~А.~Феоктистов, А.~В.~Осипов, Е.~В.~Калинина, С.~А.~Кукушкин
\paper Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния--кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 651--658
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6161}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44423.8458}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404918}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 621--627
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050086}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6161
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p651
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024