Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 469 (Mi phts5865)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Optoelectronics, optical properties

Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources

G. E. Cirlinabcd, R. R. Reznikabcd, I. V. Shtromac, A. I. Khrebtovab, Yu. B. Samsonenkoabc, S. A. Kukushkine, T. Kasamaf, N. Akopianf

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
c Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia
d Peter the Great Saint Petersburg Polytechnic University, 195251 St. Petersburg, Russia
e Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, 199178 St. Petersburg, Russia
f DTU Photonics,Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, Denmark 2800
PDF полного текста (29 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: III–V nanowires, or a combination of the nanowires with quantum dots, are promising building blocks for future optoelectronic devices, in particular, single-photon emitters, lasers and photodetectors. In this work we present results of molecular beam epitaxial growth of combined nanostructures containing GaAs quantum dots inside AlGaAs nanowires on a silicon substrate showing a new way to combine quantum devices with Si technology.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/4.6
Российский научный фонд 14-12-00393
We are grateful for the support of the Ministry of education and science of Russian Federation (state task, project No 16.2483.2017/4.6). The nanowire samples were grown under the support of Russian Science Foundation (Project No 14-12-00393).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 462–464
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 469; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CirRezSht18}
\by G.~E.~Cirlin, R.~R.~Reznik, I.~V.~Shtrom, A.~I.~Khrebtov, Yu.~B.~Samsonenko, S.~A.~Kukushkin, T.~Kasama, N.~Akopian
\paper Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire -- quantum dot system for single photon sources
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 469
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5865}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740464}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 462--464
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5865
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p469
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024