|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
П. В. Серединab, Д. Л. Голощаповa, Д. С. Золотухинa, А. С. Леньшинa, А. М. Мизеровc, С. Н. Тимошневc, Е. В. Никитинаc, И. Н. Арсентьевd, С. А. Кукушкинe a Воронежский государственный университет
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Комплексом структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на оптические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si. Впервые показано, что использование технологии МПЭ ПА для синтеза GaN на виртуальной подложке SiC/$por$-Si/$c$-Si позволило нам получить пленку GaN со значительно более высоким структурным качеством и оптическим совершенством и при значительно более низкой температуре роста, чем в аналогичных работах, в которых демонстрировался рост с использованием пористых подложек Si. Использование нанопористого $por$-Si слоя позволяет улучшить структурные и морфологические свойства эпитаксиального слоя GaN, а также добиться у него уникальных оптических и электрофизических характеристик. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики наногетероструктур GaN/SiC/$por$-Si, способствуя их потенциальному применению в оптоэлектронике.
Ключевые слова:
гибридные гетероструктуры, карбид кремния, нитрид галлия, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.
Поступила в редакцию: 28.11.2019 Исправленный вариант: 06.12.2019 Принята в печать: 06.12.2019
Образец цитирования:
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354; Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5241 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p346
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 13 |
|