Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1195–1202
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51705.9620
(Mi phts4916)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

Н. Т. Баграевab, С. А. Кукушкинa, А. В. Осиповa, Л. Е. Клячкинb, А. М. Маляренкоb, В. С. Хромовab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследуется отклик наноструктур карбида кремния, полученных методом согласованного замещения атомов, на внешнее терагерцовое излучение. Регистрируется кинетическая зависимость продольного напряжения при комнатной температуре в условиях пропускания продольного тока исток-сток в структурах с холловской геометрией. В рамках предлагаемой модели квантового эффекта Фарадея падающее излучение приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале при изменении числа квантов магнитного потока и соответственно к проявлению особенностей в кинетической зависимости продольного напряжения. Исследована генерация собственного терагерцового излучения в наноструктурах карбида кремния методом регистрации спектра электрически детектируемого электронного парамагнитного резонанса при измерении магнетополевых зависимостей продольного напряжения.
Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, наноструктура, ЭДЭПР, квантовый эффект Фарадея.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-12-00193
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ (грант № 20-12-00193).
Поступила в редакцию: 28.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1195–1202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagKukOsi21}
\by Н.~Т.~Баграев, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, Л.~Е.~Клячкин, А.~М.~Маляренко, В.~С.~Хромов
\paper Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1195--1202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4916}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51705.9620}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667390}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4916
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1195
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:156
    PDF полного текста:60
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024