|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
Н. Т. Баграевab, С. А. Кукушкинa, А. В. Осиповa, Л. Е. Клячкинb, А. М. Маляренкоb, В. С. Хромовab a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследуется отклик наноструктур карбида кремния, полученных методом согласованного замещения атомов, на внешнее терагерцовое излучение. Регистрируется кинетическая зависимость продольного напряжения при комнатной температуре в условиях пропускания продольного тока исток-сток в структурах с холловской геометрией. В рамках предлагаемой модели квантового эффекта Фарадея падающее излучение приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале при изменении числа квантов магнитного потока и соответственно к проявлению особенностей в кинетической зависимости продольного напряжения. Исследована генерация собственного терагерцового излучения в наноструктурах карбида кремния методом регистрации спектра электрически детектируемого электронного парамагнитного резонанса при измерении магнетополевых зависимостей продольного напряжения.
Ключевые слова:
карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, наноструктура, ЭДЭПР, квантовый эффект Фарадея.
Поступила в редакцию: 28.07.2021 Исправленный вариант: 02.08.2021 Принята в печать: 02.08.2021
Образец цитирования:
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1195–1202
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4916 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1195
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 156 | PDF полного текста: | 60 |
|