Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 15, страницы 15–18
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827 (Mi pjtf4717) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

Н. А. Черкашинa, А. В. Сахаровb, А. Е. Николаевbc, В. В. Лундинc, С. О. Усовb, В. М. Устиновb, А. С. Гращенкоd, С. А. Кукушкинd, А. В. Осиповe, А. Ф. Цацульниковb

a CEMES–CNRS and Université de Toulouse, Toulouse, France
b НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (959 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827
Аннотация: Светоизлучающие III – N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством.
Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III – N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FFNF-2021-0001
61520973
А.С. Гращенко и С.А. Кукушкин выполняли свою часть работы при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания ФГПУ ИПМаш РАН по контракту № FFNF-2021-0001, А.В. Осипов выполнял свою часть работы при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания по контракту СПбГУ № 61520973.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 29.04.2021
Принята в печать: 29.04.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 10, Pages 753–756
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502108006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 15–18; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheSakNik21}
\by Н.~А.~Черкашин, А.~В.~Сахаров, А.~Е.~Николаев, В.~В.~Лундин, С.~О.~Усов, В.~М.~Устинов, А.~С.~Гращенко, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, А.~Ф.~Цацульников
\paper Особенности эпитаксиального роста III -- N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 15
\pages 15--18
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4717}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46333491}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 10
\pages 753--756
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502108006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4717
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i15/p15
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:88
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024