Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 1027–1033
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51556.9709 (Mi phts4937) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

Н. Т. Баграевab, С. А. Кукушкинa, А. В. Осиповa, Л. Е. Клячкинb, А. М. Маляренкоb, В. С. Хромовab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (765 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51556.9709
Аннотация: Впервые обнаружена электролюминесценция в среднем и дальнем ИК-диапазоне из наноструктур карбида кремния на кремнии, полученных в рамках холловской геометрии. Карбид кремния на кремнии был выращен методом согласованного замещения атомов на кремнии. Электролюминесценция из краевых каналов наноструктур индуцируется с помощью продольного тока исток-сток. Спектры электролюминесценции, полученные в терагерцовом частотном диапазоне, 3.4 и 0.12 ТГц, возникают вследствие квантового эффекта Фарадея. В рамках предлагаемой модели продольный ток индуцирует изменение числа квантов магнитного потока в краевых каналах, что приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале и, соответственно, к терагерцовому излучению.
Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, электролюминесценция, наноструктура, квантовый эффект Фарадея.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-12-00193
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ (грант № 20-12-00193).
Поступила в редакцию: 12.07.2021
Исправленный вариант: 20.07.2021
Принята в печать: 20.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1027–1033
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagKukOsi21}
\by Н.~Т.~Баграев, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, Л.~Е.~Клячкин, А.~М.~Маляренко, В.~С.~Хромов
\paper Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 1027--1033
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4937}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51556.9709}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668671}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4937
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p1027
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:108
    PDF полного текста:61
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024