Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния

Ab initio методами изучен механизм перемещения одного плотноупакованного слоя SiC из одного положения минимума в другое на примере политипного перехода SiC $2H\to4H$. Показано, что промежуточное состояние с моноклинной симметрией $Cm$ сильно облегчает такое перемещение, разбивая его на две стадии. Вначале перемещается в основном атом Si, лишь затем в основном атом C. При этом связь Si–C заметно наклоняется по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (11$\bar2$0). Рассчитаны два переходных состояния этого процесса, они также обладают симметрией $Cm$. Найдено, что высота активационного барьера процесса перемещения плотноупакованного слоя SiC из одного положения в другое равна 1.8 eV. Рассчитан энергетический профиль данного перемещения.