Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 3, страницы 422–425
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47230.262 (Mi ftt8875) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводники

Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2HH и 4HH карбида кремния

С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповb

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (377 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47230.262
Аннотация: Ab initio методами изучен механизм перемещения одного плотноупакованного слоя SiC из одного положения минимума в другое на примере политипного перехода SiC 2H→4H2H→4H. Показано, что промежуточное состояние с моноклинной симметрией CmCm сильно облегчает такое перемещение, разбивая его на две стадии. Вначале перемещается в основном атом Si, лишь затем в основном атом C. При этом связь Si–C заметно наклоняется по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (11ˉ2¯20). Рассчитаны два переходных состояния этого процесса, они также обладают симметрией CmCm. Найдено, что высота активационного барьера процесса перемещения плотноупакованного слоя SiC из одного положения в другое равна 1.8 eV. Рассчитан энергетический профиль данного перемещения.
Поступила в редакцию: 20.09.2018
Исправленный вариант: 05.10.2018
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 3, Pages 288–291
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419030181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2HH и 4HH карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 422–425; Phys. Solid State, 61:3 (2019), 288–291
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsi19}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 422--425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8875}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47230.262}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37478375}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 3
\pages 288--291
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419030181}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8875
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i3/p422
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. В. А. Грешняков, “Гексагональный алмаз: теоретическое исследование способов получения и экспериментальной идентификации”, Письма в ЖЭТФ, 117:4 (2023), 306–313  mathnet  crossref; V. A. Greshnyakov, “Hexagonal diamond: theoretical study of methods of fabrication and experimental identification”, JETP Letters, 117:4 (2023), 306–312  crossref
    2. A. V. Osipov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Kremleva, E. V. Osipova, A. M. Smirnov, S. A. Kukushkin, “Phase Transformations in Gallium Oxide Layers”, Tech. Phys. Lett., 49:S3 (2023), S227  crossref
    3. N. I. Alekseev, V. S. Khadutin, I. K. Khmel'nitskii, “Quantum-Chemical Modeling of Elementary Processes That Accompany the Generation of Diamond and Graphite Clusters in the Gas Phase Without a Substrate”, Russ. J. Phys. Chem., 95:11 (2021), 2263  crossref
    4. S. P. Bogdanov, N. M. Sergeeva, “Threaded Polycrystals Na2SO4/Cd0.1Zn0.9S: Cu, Аg on the Surface of the New Material Si/(nano SiС)”, Mech. Solids, 55:1 (2020), 45  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:102
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025