|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 4, страницы 16–22
(Mi pjtf6498)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии
С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Предложена универсальная эллипсометрическая модель, описывающая оптические свойства пленок карбида кремния SiC, выращенных на кремнии Si методом замещения атомов за счет химической реакции подложки кремния с газом монооксида углерода. Данная модель является трехслойной моделью, в которой концентрация кремния уменьшается ступенчатым образом в направлении от подложки к поверхности пленки. Эллипсометрические спектры образцов SiC/Si(111), SiC/Si(100), SiC/Si(110), выращенных в одинаковых условиях, измерялись эллипсометром VUV-VASE/J.A. Woollam с вращающимся анализатором в диапазоне 1.35–9.25 eV. Обработка полученных результатов в рамках предложенной модели впервые дала политипный состав пленок SiC. Показано, что SiC на Si(111) является в основном кубическим, SiC на Si(110) является преимущественно гексагональным с примесью кубического политипа, SiC на Si(100) имеет смешанный политипный состав.
Поступила в редакцию: 22.09.2015
Образец цитирования:
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016), 16–22; Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 175–178
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6498 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i4/p16
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 5 |
|