Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 370–380
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47290.8524
(Mi phts5568)
 

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов

А. А. Корякинab, С. А. Кукушкинabcd, Н. В. Сибиревb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: Исследован механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов в интервале температур 420–450$^\circ$C. При расчете интенсивности твердофазной нуклеации впервые учтено влияние упругих напряжений, вызванных разностью атомных плотностей катализатора и нитевидного нанокристалла. В предположении, что рост GaAs зародыша на границе раздела катализатор-кристалл ограничен диффузионным потоком мышьяка в катализаторе, показано, что рост согласно механизму пар-кристалл-кристалл может реализоваться в рассматриваемом интервале температур за счет полицентрической нуклеации. Показано, что интенсивность нуклеации когерентных зародышей при механизме роста пар–кристалл–кристалл может быть выше интенсивности нуклеации зародышей при механизме роста пар–жидкость–кристалл вследствие низкого значения межфазной поверхностной энергии, реализующейся при когерентном сопряжении твердая фаза – твердая фаза. Доказано, что нуклеация Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов по механизму пар–кристалл–кристалл возможна только в том случае, когда рост GaAs-зародыша происходит за счет диффузии атомов мышьяка вдоль границы раздела катализатор–кристалл.
Поступила в редакцию: 14.08.2018
Исправленный вариант: 10.09.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 350–360
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030102
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Н. В. Сибирев, “Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 370–380; Semiconductors, 53:3 (2019), 350–360
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorKukSib19}
\by А.~А.~Корякин, С.~А.~Кукушкин, Н.~В.~Сибирев
\paper Механизм роста пар--кристалл--кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 370--380
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5568}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47290.8524}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477153}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 350--360
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030102}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5568
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p370
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024