Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах

Исследовано упругое взаимодействие двух точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах. На основе точного выражения тензорной функции Грина упругого поля, полученного Лифшицем–Розенцвейгом для гексагональной среды, выведена точная формула для энергии взаимодействия пары точечных дефектов. Решение представлено в зависимости от угла их взаимного расположения на примере таких полупроводников, как III-нитриды и $\alpha$-SiC. Для кубической среды найдено решение на основе исправленного Остапчуком тензора Грина Лифшица–Розенцвейга, полученного в приближении слабой анизотропии. Доказано, что расчет энергии взаимодействия по оригинальному тензору Грина Лифшица–Розенцвейга приводит к противоположному знаку энергии. На примере кристалла кремния приближенные решения сравниваются с численным решением, которое представлено в форме аппроксимации рядом сферических функций. Масштаб применимости континуального подхода оценивается из квантово-химического расчета решеточной функции Грина.