Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 522 (Mi phts5848)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates

R. R. Reznikabcde, K. P. Kotlyara, I. P. Soshnikovac, S. A. Kukushkinf, A. V. Osipovf, G. E. Cirlinabcd

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
c Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia
d Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 195251 St. Petersburg, Russia
e Department of Engineering, Durham Unifersity, Durnam DH13Le, United Kingdom
f Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Science, 199178 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (29 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: The possibility of InAs nanowires MBE growth on silicon (111) substrates with a nanometer buffer layer of silicon carbide has been demonstrated for the first time. The NWs diameter turned out to be smaller than on the silicon substrate–the minimum of NWs diameter was less than 10 nm. In addition, dependence of structural properties of InGaAs nanowires on composition was studied.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/4.6
Российский научный фонд 14-12-00393
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03113 ofi m
We are grateful for the support of the Ministry of education and science of Russian Federation (state task, project No 16.2483.2017/4.6). The nanowire samples were grown under the support of Russian Science Foundation (Project No 14-12-00393). This work was partially supported by RFBR (grant 16-29-03113 ofi m).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 651–653
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050251
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 522; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezKotSos18}
\by R.~R.~Reznik, K.~P.~Kotlyar, I.~P.~Soshnikov, S.~A.~Kukushkin, A.~V.~Osipov, G.~E.~Cirlin
\paper MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 522
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5848}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740386}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 651--653
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050251}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5848
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p522
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024