Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si

Обнаружен эффект инверсии полярности в слоях GaN с N-полярного слоя GaN на Ga-полярный слой GaN в процессе последовательного выращивания пленок GaN на гибридных подложках SiC/Si(111) методами методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота и методом хлорид-гидридной эпитаксии. Разработан новый метод формирования свободных от трещин Ga-полярных гетероструктур GaN/AlN на гибридных подложках SiC/Si(111). Метод включает в себя два этапа выращивания слоев GaN. На первом этапе методом МПЭ ПА на поверхности SiC/Si(111) выращивается переходный N-полярный слой GaN. На втором этапе, методом ХГЭ на полученном N-полярном слое GaN выращиваются два слоя, а именно слой AlN, а затем слой GaN, который на этом этапе вырастает Ga-полярной ориентации. Установлено, что травление в растворе KOH затрагивает только N-полярный переходный слой GaN и приводит к полному его удалению, что позволят полностью отделить основной Ga-полярный слой GaN от подложки SiC/Si(111). Метод позволяет выращивать свободные от трещин и упруго не напряженные толстые слои GaN, и переносить их на подложки других материалов.