Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 414–420
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44218.8368
(Mi phts6220)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов

С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab, А. В. Редьковac

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Принята в печать: 17.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 396–401
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030149
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 414–420; Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsiRed17}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, А.~В.~Редьков
\paper Отделение эпитаксиальных гетероструктур III--N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 414--420
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6220}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44218.8368}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006039}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 396--401
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030149}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6220
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p414
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024