|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
С. А. Кукушкинabc, А. В. Осиповab, А. В. Редьковac a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали.
Поступила в редакцию: 12.07.2016 Принята в печать: 17.08.2016
Образец цитирования:
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 414–420; Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6220 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p414
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 28 |
|