Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 2, страницы 385–388
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.02.44067.288 (Mi ftt9692) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика поверхности, тонкие пленки

Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

В. В. Антиповab, С. А. Кукушкинacd, А. В. Осиповad

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (261 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.02.44067.288
Аннотация: Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1–3 $\mu$m на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500$^\circ$C при температуре испарителя 580$^\circ$C, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы.
Поступила в редакцию: 11.07.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 2, Pages 399–402
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417020020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 385–388; Phys. Solid State, 59:2 (2017), 399–402
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AntKukOsi17}
\by В.~В.~Антипов, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 2
\pages 385--388
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9692}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.02.44067.288}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006126}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 2
\pages 399--402
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417020020}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9692
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i2/p385
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial Silicon Carbide on Silicon. Method of Coordinated Substitution of Atoms (A Review)”, Russ J Gen Chem, 92:4 (2022), 584  crossref
    2. Sergey Kukushkin, Andrey Osipov, Alexey Redkov, Advanced Structured Materials, 164, Mechanics and Control of Solids and Structures, 2022, 335  crossref
    3. S. P. Bogdanov, N. M. Sergeeva, “Threaded Polycrystals Na2SO4/Cd0.1Zn0.9S: Cu, Аg on the Surface of the New Material Si/(nano SiС)”, Mech. Solids, 55:1 (2020), 45  crossref
    4. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504  mathnet  crossref; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509  mathnet  crossref
    5. A A Koryakin, S A Kukushkin, A V Redkov, “Nucleation of CdSe thin films: the kinetic model”, J. Phys.: Conf. Ser., 1124 (2018), 022044  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:83
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025